中國首款自主設計DRAM 可望年底量產

據日經新聞報導，首款由中國晶片大廠設計製造的 DRAM 擬於年底量產，預計能與兩大記憶體晶片廠三星電子 (005930-KR)，和美光 (Micron Technology)(MU-US) 互相在這每年逾 1000 億美元的半導體市場競爭，同時也替美中情勢不穩的科技戰做準備。

這家在 2016 年成立的記憶體晶片廠長鑫科技 (Changxin Memory Technologies)，前身為合肥長鑫 (Innotron Memory)，過去專門生產行動 DRAM，如今改版重新設計自家的 DRAM，將能應用在筆電、智慧手機、數據伺服器和電動車上。

據消息人士指出，這是為了減少使用美國技術，以避免長鑫遭到美國控告侵犯知識產權，加上貿易戰不確定因素仍在，研發自家的 DRAM 也替中國提供晶片斷源的備案。

日經新聞報導，實際上，長鑫恐怕還無法完全自主生產 DRAM，由於生產線大部分仍舊是依靠美國的設備和設計器材供應。

長鑫科技已在合肥的晶片廠投入約 80 億美元，預計將在年底量產，其實早在五月時，長鑫科技就曾被報導投入 25 億美元於 DRAM 研發部門。

據了解，長鑫科技的 DRAM 設計是基於，從英飛凌分拆出的 DRAM 大廠奇夢達 (Qimonda)，該公司在 2009 年破產。

消息人士指出，長鑫預計將生產每月一萬片晶圓體，市調機構 CINNO 分析師 Sean Yang 表示，雖然這數字與全球目前每月生產的 130 萬片晶圓產量相比微不足道，但鑒於中國目前沒有自製 DRAM 來看，這已經是項大突破。

2018 年全球 DRAM 市值約 996.5 億美元，其中三星、美光和韓國海力士 (SK Hynix) 控制了約 95% 的市場份額。

研究機構 Trendforce 預計，2019 年第三季度 DRAM 價格將暴跌 15%，今年最後三個月更將進一步下跌 10%，若此時美國仍將華為列入黑名單，則晶片市場將可達到需求預期。