力旺矽智財導入華邦25奈米DRAM製程平台

力旺 (3529-TW) 今 (25) 日宣布，一次可編程 (OTP) 記憶體矽智財 NeoFuse ，導入華邦電 (2344-TW) 25 奈米 DRAM 製程平台，即將進入量產階段，有助於客戶在車用、工業、 5G 通訊等新的市場應用取得先機。

 NeoFuse 矽智財可使 DRAM 產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試，均可進行修補，達到多次修補 (Multi-Repair) 的目的，與傳統雷射調校 (Laser Trimming) 相比，不僅降低調校成本與時間，並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補，大為提升多晶片封裝 (MCP) 產品的生產良率。

可相容於 DRAM 製程平台的 NeoFuse 技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間，有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗。此外， NeoFuse 的高編程良率，只需一次編程便可將資料成功寫入，可大幅降低操作的複雜性和測試成本。

力旺業務發展中心副總何明洲表示，力旺的矽智財解決方案，已成功地導入各類型的晶片應用。力旺與記憶體供應商華邦電子共同合作，將 NeoFuse 導入 25 奈米 DRAM 製程，可使整體產品測試更加靈活，更有效率的提供符合高階客戶與應用需求的產品。

力旺與華邦的合作，對雙方來說均是重要的里程碑，除了現階段在 25 奈米 DRAM 製程的合作外，雙方更進一步進行 NeoFuse 在二代 DRAM 製程的開發計畫，預計不久後即可完成佈建。