5G帶動需求 研調看好穩懋、宏捷科明年表現

隨著各國持續投入布建 5G 基地台等基礎設施，集邦 (TrendForce) 旗下拓墣產業研究院今 (8) 日指出，現行射頻元件將逐漸被砷化鎵 (GaAs) 晶圓取代，且數量將較 4G 倍增，預料相關台廠供應鏈如穩懋 (3105-TW)、宏捷科 (8086-TW) 及環宇 - KY(4991-TW)，明年都將進入新一波成長期。

拓墣指出，4G、5G 時代對於射頻元件有高度需求，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，而傳統 HBT 和 CMOS 所使用的矽 (Si) 元件已無法滿足需求，廠商便逐漸將目光轉移至砷化鎵 (GaAs) 化合物半導體，砷化鎵較矽元件具備快速、抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性，適用於無線通訊中的高頻傳輸領域。

拓墣表示，由於 4G 時代的手機通訊頻率使用範圍已進展至 1.8-2.7GHz，對傳統 3G 的矽晶圓射頻元件已不敷使用，加上 5G 通訊市場正步入高速成長期，使用頻段也更廣泛 (包含 3～5GHz、20～30GHz)，因此無論是 4G 或 5G 通訊應用，現行射頻元件都將逐漸被砷化鎵取代。

不過，自去年開始受美中貿易戰影響，全球手機銷售量下滑，拓墣表示，預估今年全球砷化鎵 IDM 廠總營收將下滑至 58.35 億美元年減約 8.9%，不過隨著 5G 通訊持續發展，射頻元件需求量將明顯提升，如功率放大器 (PA) 使用量，由 3G 時代的 2 顆、4G 的 5-7 顆，提升至 5G 時代的 16 顆，將有助於帶動產業營收成長，預估明年砷化鎵射頻元件總營收將達 64.92 億美元，年增 11.3%。