隨著各國持續投入布建5G基地台等基礎設施，集邦(TrendForce)旗下拓墣產業研究院今(8)日指出，現行射頻元件將逐漸被砷化鎵(GaAs)晶圓取代，且數量將較4G倍增，預料相關台廠供應鏈如穩懋(3105-TW)、宏捷科(8086-TW)及環宇-KY(4991-TW)，明年都將進入新一波成長期。拓墣指出，4G、5G時代對於射頻元件有高度需求，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，而傳統HBT和CMOS所使用的矽(Si)元件已無法滿足需求，廠商便逐漸將目光轉移至砷化鎵(GaAs)化合物半導體，砷化鎵較矽元件具備快速、抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性，適用於無線通訊中的高頻傳輸領域。拓墣表示，由於4G時代的手機通訊頻率使用範圍已進展至1.8-2.7GHz，對傳統3G的矽晶圓射頻元件已不敷使用，加上5G通訊市場正步入高速成長期，使用頻段也更廣泛(包含3～5GHz、20～30GHz)，因此無論是4G或5G通訊應用，現行射頻元件都將逐漸被砷化鎵取代。不過，自去年開始受美中貿易戰影響，全球手機銷售量下滑，拓墣表示，預估今年全球砷化鎵IDM廠總營收將下滑至58.35億美元年減約8.9%，不過隨著5G通訊持續發展，射頻元件需求量將明顯提升，如功率放大器(PA)使用量，由3G時代的2顆、4G的5-7顆，提升至5G時代的16顆，將有助於帶動產業營收成長，預估明年砷化鎵射頻元件總營收將達64.92億美元，年增11.3%。
