美光1z奈米製程技術生產DRAM 明年將在台量產

美商記憶體大廠美光 (Micron) 今 (27) 日宣布 DRAM 擴充取得進展，成為首家開始使用 1z 奈米製程技術生產 16Gb DDR4 產品的記憶體廠，預計明年在台量產 1z 奈米製程，而透過量產 16Gb DDR4 記憶體解決方案，美光開始將技術移轉至 1z 奈米。

與上一代 1y 奈米節點相比，美光的 1z 奈米 16Gb DDR4 產品，顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本，也促進美光持續改善運算 DRAM(DDR4)、行動 DRAM(LPDDR4) 與圖形 DRAM(GDDR6) 產品系列的相對效能和功耗。而透過量產 16Gb DDR4 記憶體解決方案，美光開始將技術移轉至 1z 奈米。

美光指出，採用 1z 奈米製程的 16Gb DDR4 產品，功耗較上一代 8Gb DDR4 產品降低約 4 成。且 1z 奈米 DDR4 產品組合，也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗日益增長的需求。此外，美光今日也宣布，已開始批量出貨基於 UFS 規範多晶片封裝 (uMCP4) 的，業界最高容量單片 16Gb 低功率雙倍資料速率 LPDDR4X DRAM。

美光在台灣成立 DRAM 卓越中心，現有產能包括桃園、中科 12 吋廠，及去年 10 月下旬開幕、位於中科的後段封測廠，至於新建的 A3 廠，將以擴建無塵室為主及製程技術升級為主，預計明年第 4 季完工。而美光的 1z 奈米製程技術在日本廣島廠試產成功後，明年將在台量產。