建10奈米試產線 南亞科追加資本支出65.6億元 今年達157.6億元

DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (6) 日董事會通過，為建置 10 奈米級製程試產線，將再新增新台幣 65.6 億元資本支出預算，今年度資本支出預算也因此提升至不超過 157.6 億元，較去年擴增 1.86 倍。

南亞科今年 1 月宣布，自主研發技術取得重大突破，開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術，第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，將建構在自主製程技術及產品技術平台，涵蓋消費型、低功率與標準型產品，預計今年下半年陸續進入產品試產。

為因應 10 奈米級製程技術研發，加上 20 奈米遞延的資本支出等需求，南亞科董事會 2 月 26 日通過資本支出預算案，以不超過 92 億元為上限。而為建置 10 奈米級製程試產線，今日再通過追加 65.6 億元預算。

南亞科 2017 年資本支出共 294 億元，但 2018 年下半年起受到美中貿易戰、CPU 缺貨等因素衝擊，DRAM 市況轉趨保守，南亞科因此於 2018 年第 4 季下修資本支出，全年資本支出為 204 億元。

而由於前 2 年陸續採購設備，加上去年 DRAM 市況持續走弱，南亞科因此下調資本支出，去年 2 月原定資本支出共 106 億元，4 月下調至 70 億元，最後實際支出為 55 億元；而由於今年適逢 10 奈米級新製程轉進，資本支出較去年大幅擴增約 1.86 倍。