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〈聯電擬設新廠〉傳再砸逾千億元 擬在新加坡蓋新廠

鉅亨網記者林薏茹 台北
聯電傳砸千億元 在新加坡再蓋一座12吋廠。(圖:AFP)
聯電傳砸千億元 在新加坡再蓋一座12吋廠。(圖:AFP)

繼 4 月宣布砸新台幣千億元在南科擴產後,市場傳出,晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 內部計畫將在新加坡興建第二座 12 吋新廠,月產能至少 2 至 3 萬片,投資金額超過 1000 億元,業界推估,新廠可能採 40 奈米以下製程生產。

對於市場傳言,聯電表示,新加坡本來就有設廠,在全球有據點的地方持續評估建廠規劃,目前還沒有確切地點。

聯電新加坡廠 Fab 12i 於 2004 年量產,座落於白沙晶圓科技園區,製程為 0.13 微米至 40 奈米,月產能 5 萬片,為特殊技術中心,產品涵蓋 FPGA(可編程邏輯元件) 與無線通訊晶片等。

業界指出,新加坡政府過去一年來,已宣布規模數十億美元的半導體相關投資計畫,祭相關補貼政策,力邀半導體大廠前往當地設廠,若製程越先進、或與第三代半導體相關的投資,就能獲得更多補貼優惠。

聯電當年首度進軍新加坡設廠時,即獲得十年免稅優惠;由於目前新加坡當地最先進製程為 40 奈米,業界人士認為,聯電此次可能採 40 奈米以下、如 28 奈米製程生產,而在當地再蓋一座 12 吋新廠,也能提升技術與資源等營運綜效。

聯電今年 4 月宣布擴充南科 Fab 12A P6 廠產能,採 28 奈米製程、月產能 2.75 萬片,預計 2023 年第二季投產,客戶將以議定價格預先支付訂金,並傳出已預付訂金客戶包括聯發科 (2454-TW)、高通、三星 LSI、聯詠 (3034-TW) 等。

今年以來晶圓代工產能短缺,各廠相繼投資擴產,成熟製程產能將從明年起陸續開出,2023 年達到高峰。

聯電目前產能仍供不應求,也與不少客戶討論更長期的產能合作規劃,此次將再擴建新廠,顯見對半導體產業景氣後市還是樂觀看待;至於新廠為確保維持健康的產能利用率,是否會依循南科擴產模式,由客戶預付訂金,也將受矚。

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