〈李國鼎紀念論壇〉吳敏求：3D NAND可能取代DRAM成市場主流

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求今 (3) 日表示，人工智慧啟動下波工業革命，驅動半導體需求，並預期未來 3D NAND Flash 可能取代 DRAM，成為市場主流。

吳敏求今日出席李國鼎紀念論壇，以「快閃記憶體之現況及未來」為題進行專題演講。他指出，包括人工智慧、邊緣運算、5G 及汽車電子將帶動大數據對記憶體的需求。

吳敏求表示，先進半導體製程技術使 2D NAND 與 NOR 跨越無法微縮的障礙，邁向 3D 結構，使容量持續增加，並維持 NAND 與 NOR 的成長動能。

吳敏求指出，目前記憶體市場仍以 DRAM 為大宗，但 3D NAND Flash 擁有最高密度及最低製造成本，未來可能成為記憶體市場新主流。

吳敏求也說，為進一步降低運算功耗，記憶體將由單純的幕後資料儲存角色，轉向具有運算功能 (Memory Centric) 的幕前角色，最終實現「存運一體」的具體表現。