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〈李國鼎紀念論壇〉吳敏求:3D NAND可能取代DRAM成市場主流

鉅亨網記者林薏茹 台北
旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)
旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求今 (3) 日表示,人工智慧啟動下波工業革命,驅動半導體需求,並預期未來 3D NAND Flash 可能取代 DRAM,成為市場主流。

吳敏求今日出席李國鼎紀念論壇,以「快閃記憶體之現況及未來」為題進行專題演講。他指出,包括人工智慧、邊緣運算、5G 及汽車電子將帶動大數據對記憶體的需求。

吳敏求表示,先進半導體製程技術使 2D NAND 與 NOR 跨越無法微縮的障礙,邁向 3D 結構,使容量持續增加,並維持 NAND 與 NOR 的成長動能。

吳敏求指出,目前記憶體市場仍以 DRAM 為大宗,但 3D NAND Flash 擁有最高密度及最低製造成本,未來可能成為記憶體市場新主流。

吳敏求也說,為進一步降低運算功耗,記憶體將由單純的幕後資料儲存角色,轉向具有運算功能 (Memory Centric) 的幕前角色,最終實現「存運一體」的具體表現。
 

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