三星否認3奈米量產延後

三星電子 (Samsung Electronics) 週三 (22 日) 回應韓媒報導其 3 奈米量產將延後的消息不實。

韓媒《東亞日報》週二 (21 日) 報導，三星因 3 奈米良率遠低於目標，將再延後量產時程，不過遭到三星否認。三星發言人週三表示，三星依舊按進度第二季開始量產 3 奈米晶片。

三星今年將 GAA 技術率先使用在 3 奈米的製程上，並計畫 2025 年量產 2 奈米製程，總投資額將達 450 兆韓元 (約新台幣 10.5 兆元)，期許超越台積電，取得領先地位。

三星押寶的  GAA 技術為新世代製程，能以更小的體積實現更好的功耗表現，可將晶片面積減少多達 45%，同時性能提高 30%，功耗降低 50%，將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。

消息人士指出，三星即將於下週宣布 3 奈米量產，而良率也成為市場跟進關注的焦點。專家認為，三星如果在 3 奈米工藝中有穩定的良率，就能成為代工市場的遊戲規則改變者，因此未來三年可謂是三星相當關鍵的時期。

台積電 (TSM-US) 目前戰略是今年下半年將進入 3 奈米半導體市場，採用 FinFET 工藝，2025 年從 FinFET 轉向奈米片 (nanosheet) 電晶體設計，量產 2 奈米。

根據 TrendForce 最新調查顯示，台積電今年第一季以 53.5% 的全球代工市占率位居第一，三星以 16.3% 位居第二，遠遠落後台積電。