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〈先進製程爭霸戰〉三星搶先量產3奈米 台積電擁多重優勢霸主地位難撼動

鉅亨網記者林薏茹 台北
三星宣布量產3奈米製程。(圖:AFP)
三星宣布量產3奈米製程。(圖:AFP)

三星電子今 (30) 日宣布開始量產 3 奈米晶片,成為首家導入 3 奈米 GAA(環繞閘極技術) 的公司,與台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在先進製程上的競爭趨於白熱化,不過,業界指出,GAA 架構技術複雜、價格相對高昂,台積電採用 FinFET 技術量產 3 奈米將較具競爭力,除良率外,從客戶關係、生態系等各面向來看,三星短期要超車台積電,仍沒有那麼容易。

三星在 3 奈米製程中導入 GAA 架構,以突破 FinFET 架構性能限制,三星表示,此新世代製程通過降低電源電壓來提高功率效率,同時增加驅動電流能力來提高性能,能以更小體積實現更好的功耗表現。與目前的 5 奈米晶片相較,3 奈米製程生產的晶片將減少 16% 表面積、性能提高 23%、功耗降低 45%。

雖然三星搶先台積電一步,鳴響 3 奈米製程量產第一槍,不過,業界人士指出,GAA 架構雖能更精準控制通道電流,縮小晶片面積與降低功耗,但量產難度相當高,GAA 為 4D 製程,較 3D 的 FinFET 複雜許多,且 GAA 製程價格也將較 FinFET 昂貴,三星良率問題也始終受外界質疑,後續還須觀察量產良率與客戶採用意願。

台積電則預計今年下半年量產 3 奈米晶片,且採用較成熟的 FinFET 技術,2025 年量產 2 奈米製程時,才會採用 GAA 技術。業界人士認為,台積電 3 奈米沿用 FinFET 技術,主要是考量技術成熟度、成本競爭力與效能等因素,在 FinFET 生態系相對成熟下,將更具成本競爭力。

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