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彭博:美國晶片法案 將阻止台積電、英特爾在中國增產先進晶片

鉅亨網編譯劉祥航 綜合報導
彭博:美國晶片法案 將阻止台積電、英特爾在中國增產先進晶片(圖:AFP)
彭博:美國晶片法案 將阻止台積電、英特爾在中國增產先進晶片(圖:AFP)

美國國會通過 520 億美元聯邦計畫,以提高國內晶片製造能力,但這一晶片法案包含一條重要的限制性條款:獲得資金的公司必須承諾不增加在中國的先進晶片生產。

據《彭博》報導認為,這肯定會加劇華盛頓與北京之間的緊張局勢,並限制英特爾 (INTC-US) 及台積電 (2330-TW)(TSM-US) 等公司,無法大幅升級或擴大現有設施,實際上會失去在中國市場的成長機會。

根據《晶片與科學法》的要求,獲得聯邦資金的公司,10 年內不得在中國大幅擴大比 28 奈米更先進晶片,除了例外狀況,違反規定且未能補救者,可能需要全額返還聯邦補貼。

預計很快會簽署該法案的白宮,已經表達對此項限制的支持。

相較之下,英特爾一直在遊說反對這一限制。2021 年末,這家美國晶片製造商希望增加在中國的產量,但遭到白宮拒絕。

此前,英特爾將 Nand 業務及大連的晶圓廠,出售給了南韓的 SK 海力士,但他們在中國仍有晶片封裝和測試設施。

英特爾發言人 Nancy Sanchez 表示,英特爾和業內的許多公司組建了產業協會,確保能夠有最佳的立法,不會無意中破壞接受 CHIPS 資金公司的全球競爭力。

預計晶片法案簽署後,主要資金將流向英特爾、台積電和南韓三星電子,這些公司在美國都在建設價值數百億美元的新晶片製造設施。

(本文不開放合作夥伴轉載)

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