1

熱搜:

熱門行情

最近搜尋

全部刪除

晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂領補貼伴隨風險

鉅亨網記者林薏茹 台北
晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂心領補貼伴隨風險。(圖:AFP)
晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂心領補貼伴隨風險。(圖:AFP)

據韓國媒體 Business Korea 報導,隨著美國晶片法案通過,但禁令定義仍未明確,三星、SK 海力士等半導體廠,日益擔心領取晶片法案補助,可能伴隨無法在中國擴充產能與投資的風險。

美國晶片與科學法案中,提供 390 億美元資金補貼,及為期四年的 25% 稅收抵免,以鼓勵企業在美國建廠,並提供要在美國打造研發中心的半島體廠 110 億美元補貼,但依規定,一旦申請取得補貼,未來十年將不得在中國等特定地區擴大產能與投資。

韓媒指出,該禁令針對 28 奈米以下製程技術,但禁令定義仍未釐清,是否涵蓋記憶體或僅限於非記憶體晶片。若僅限於非記憶體晶片,對三星、SK 海力士等半導體廠來說,風險將趨近於零,因為兩家廠商都未在中國生產非記憶體晶片。

不過,若禁令囊括記憶體晶片,三星、SK 海力士將受影響。目前三星 NAND Flash 廠座落西安,封測廠在蘇州,SK 海力士的 DRAM 和 NAND Flash 廠分別在無錫與大連,無錫廠量產 10 奈米級 DRAM,三星風險相對較低,因 NAND Flash 晶片主要以堆疊層數來計算,而非奈米級製程。

韓媒認為,無論何種情況,接受補助後的十年間,三星、SK 海力士投資計畫與活動都必須先知會美國商務部,將使兩家廠商無法完全免於風險。

相關貼文

left arrow
right arrow