輸中記憶晶片生產設備設限 三星、海力士傳不受政策限制

拜登政府準備對輸中記憶晶片生產設備提出新管制措施，知情人士透露，三星電子與 SK 海力士在中國的工廠，將不受美方政策限制。

路透報導，知情人士透露，美國商務部計劃本周提出對中國技術出口新限制，如果長江存儲、長鑫存儲等中企要製造先進 DRAM 或快閃記憶晶片，美方可能會拒絕美企的設備出口請求。

不過，消息人士表示，在中國生產先進記憶晶片的外國公司，美國政府將以個案方式審查向這些外企提供生產設備的出口許可申請，可能會允許他們取得設備。

一名知情人士說：「我們的目標不是傷害非本土企業。」白宮和商務部對此不予置評，三星電子與 SK 海力士也未回覆置評請求。

此舉可望緩解南韓記憶晶片製造商的擔憂，即美國可能會阻礙他們在中國的製造業務，以阻止中國崛起​​、削弱長江存儲、保護美國記憶晶片製造商。

不過，他們仍擔心逐案審查標準遠不如美方明確放行，允許他們在中國工廠採用美國設備，且這種做法可能會導致企業與監管機關起爭執。

三星在陝西省有生產 NAND 快閃記憶晶片的工廠。SK 海力士收購英特爾（Intel）在大連的 NAND 快閃記憶晶片製造業務，並在另一座中國廠房生產 DRAM 晶片。

對此中國駐美大使館周四（6 日）痛批美國是「科技霸權」，利用技術實力阻礙、遏止新興市場和開發中國家的發展。