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日月光搶AI商機 推FOCoS-Bridge整合多顆ASIC

鉅亨網記者魏志豪 台北 2023-06-01 17:15

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日月光搶AI商機 推FOCoS-Bridge整合多顆ASIC。(圖:擷取自官網)

日月光投控 (3711-TW)(ASX-US) 旗下日月光今 (1) 日宣佈 Fan-Out-Chip-on-Substrate-Bridge(FOCoS-Bridge) 實現最新突破的技術,在 70mm x 78mm 尺寸的大型高效能封裝體中透過 8 個橋接連接 (Bridge) 整合 2 顆 ASIC 和 8 個高頻寬記憶體 (HBM) 元件,可滿足不斷發展的 AI 和 HPC 需求。

日月光指出,FOCoS-Bridge 是日月光 VIPack 平台六大核心封裝技術支柱之一,此大型高效能封裝體包含兩顆相同尺寸 47mm x 31mm 的 FOCoS-Bridge 的扇出型封裝結構,實現高度可擴展性,無縫集成到複雜的晶片架構中,同時提供高密度晶片對晶片連接 (D2D)、高 I/O 數量和高速信號傳輸。

日月光看好,FOCoS-Bridge 技術將解決 AI 和 HPC 應用對更高頻寬和更快數據傳輸速率的需求,利用高度集成的扇出型封裝結構優勢,克服傳統電性互連的限制,實現處理器、加速器和記憶體模組之間的高速度、低延遲和高能效的數據傳輸。

此次兩個 FOCoS-Bridge 結構均包含 1 顆主晶片, 4 顆 HBM 和 4 顆橋接的 Bridges,有效地將 9 個元件集成在 47mm x 31mm 尺寸的扇出型封裝體中,幾乎兩倍的光罩尺寸 (Reticle Size)。

FOCoS-Bridge 在扇出型封裝結構的基礎中允許嵌入被動和主動元件的技術的選項,可以選擇提供用於優化功率傳輸的去耦電容或用於連接功能性 (如記憶體、I/O 等) 的晶片元件。

日月光 FOCoS-Bridge 特性是次微米 L/S 的超高密度晶片對晶片 (D2D) 互連功能,可實現小晶片 Chiplet 集成的高頻寬與低延遲。使用橋接晶片使主晶片邊緣的線性密度 (線 / 毫米 / 層) 比傳統的覆晶封裝 (Flip Chip) 密度更超過百倍。

此外,FOCoS-Bridge 支持串列和平行介面以及相關的標準,如 XSR、BOW、OpenHBI、AIB 和 UCIe,廣泛實現晶片對晶片 (D2D) 的互連。
 
日月光認為,AI 涵蓋範圍幾乎遍及所有行業和科學領域, 已經從自動汽車駕駛滲透到醫療診斷,AI 和 HPC 的相互融合對半導體產業產生極大影響,推動對創新封裝解決方案的需求。

尤其 HPC 和伺服器 SoC 需求達到光罩尺寸 (Reticle Size) 的極限,同時需要高頻寬記憶體集成,就必需透過 FOCoS-Bridge 技術來實現,FOCoS-Bridge 技術也有助更高效利用運算資源,加速數據密集型運算,並推動 AI 演算法、深度學習、科學模擬及其他運算密集型工具。

日月光研發副總洪志斌博士說,FOCoS-Bridge 技術突破,推動 AI 和 HPC 的發展,解決數據傳輸、性能和功耗相關的關鍵挑戰,隨著 AI 和 HPC 改善人類生活、工作、娛樂和溝通方式,FOCoS-Bridge 和創新的先進封裝技術扮演重要的推動角色。

銷售與行銷資深副總 Yin Chang 也強調,日月光極力創造能實現高頻寬記憶體 (HBM) 和高密度小晶片 Chiplet 集成的整合技術,以滿足客戶將尖端應用帶入市場的需求,公司不斷創新帶來變革性解決方案,FOCoS-Bridge 是最佳案例,不僅強化 VIPack 產品組合,也為 AI 領域的創新和發展開闢新的可能性,使客戶能夠克服嚴峻的技術挑戰,實現新的效能、可擴展性和能源效率。






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