美光和印度政府簽合作備忘錄 建首家在印半導體工廠

美國半導體大廠美光週三 (28 日) 和印度政府簽訂合作備忘錄，美光將在印度古吉拉特邦 (Gujarat ) 新建一座新的晶片組裝和測試廠， 這將是該公司在印度的首座工廠。

美光這座新廠將實現 DRAM 和 NAND 產品的組裝和測試製造，預計將於 2024 年開始營運，並滿足滿足當地需求並向南亞市場出口。

新廠將於 2023 年開始分階段動工。第一階段將包括 50 萬平方英尺的規劃無塵室空間，2024 年底投入營運，屆時將根據全球需求趨勢逐步提高產能。 

該項目的第二階段將在 2025 年後開始，規模和設施與第一階段基本一致。兩個階段的投資將高達 8.25 億美元，並將在未來幾年內創造多達 5,000 個在美光新工作崗位和 15,000 個社區工作崗位。 

印度中央政府、古吉拉特邦政府計劃分別提供美光建廠總成本的 50%、20%，這意味著印度政府補貼佔比高達總開支的 70%，總投資額將達到 27.5 億美元。

印度科技部長 Ashwini Vaishnaw 指出，這項投資將從根本上改變印度的半導體格局，並創造數以萬計的高科技和建築工作崗位，成為印度蓬勃發展的半導體生態系統的重要組成部分。

印度建新廠計畫是美光戰略之一，期望滿足跨市場對記憶體和儲存裝置的長期需求，並強化該公司的全球組裝和測試網路。

美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 表示：「我們對印度為發展當地半導體生態系統而採取的措施感到興奮。感謝印度政府和所有相關官員使這項投資成為可能，公司在印度的新組裝和測試廠，將使美光能夠擴大我們的全球製造基地，並更好地為我們在印度和世界各地的客戶服務。」

美光指出選擇古吉拉特邦是因為其製造基礎設施發展、有利的商業環境，以及印度薩納恩德 (Sanand) 工業區園完善的人才儲備。

美光將於週三盤後公布最新財報表現不俗，第三季每股虧損為 1.43 美元，營收為 37.5 億美元，均優於分析師預期，美光 (MU-US) 週三收紅 0.42% 至每股 67.07 美元，盤後其股價升逾 2%。