台積電拚2030年完成1奈米製程 單一封裝電晶體衝上1兆個

台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在 IEDM 2023 會議中，揭露 1 奈米最新進展，預計 2030 年前會完成開發 1 奈米 (A10) 製程技術，且預期隨著先進封裝技術不斷進步，屆時將打造出內含 1 兆個電晶體的單一封裝體。

外媒指出，台積電此次重申開發 2 奈米技術 (N2/N2P)，也揭露 1.4 奈米 (A14) 和 1 奈米 (A10) 的技術規劃時程，預計 2030 年前完成研發，屆時單晶片電晶體會超過 2000 億個。

此外，台積電也看好，隨著先進封裝技術如 CoWoS、InFO 與 SoIC 等不斷進步，將在 2030 年左右打造出含有超過 1 兆個電晶體的多晶片封裝解決方案。

台積電認為，輝達 (NVDA-US) 的 GH100 是目前市面上最複雜的處理器之一，電晶體超過 800 億個，但很快就會有超過 1000 億個電晶體的晶片問世，並預期打造強大效能的處理器會越來越複雜、昂貴，因此客戶會選擇採用堆疊多晶片，預期該趨勢將延續下去。

台積電舉例，包括超微 (AMD-US) 的 MI300X 和英特爾 (INTC-US) 的 Ponte Vecchio，皆是採用數十顆晶片堆疊而成。