HBM擠壓DRAM產能，缺貨漲價潮將再現，錯過再等好幾年:南亞科、華邦電、愛普、力積電、鈺創

〈DRAM 不會缺席 AI 商機  法人預告 DRAM 供需失衡將來臨〉

英特爾 (Intel) 和超微(AMD) 都預計於 2024 年推出搭載 DDR5 的新平台，帶動新一波的換機潮與 AI PC 的發展。大型伺服器、數據中心和高階工作站等需要高速及大容量的 DRAM，以實現更快的數據存取速度，進一步促進 DRAM 需求，根據市調機構集邦科技統計，DRAM 受惠產品合約價上揚，第 1 季營收 183.5 億美元、季增 5.1%， DRAM 三大供應商三星、SK 海力士、美光第一季受淡季效應影響出貨同步減少，加上庫存水位正常，意圖延續 2023 年第四季合約價上漲的氛圍。

但為了加速推廣 AI 技術廣泛應用，國際大廠紛紛投入高頻寬記憶體 (HBM) 製造，擠壓標準型 DRAM 產能，摩根士丹利就預測，2025 年將出現前所未見的 DRAM 供需失衡「超級周期」，並將今年第三季 DRAM 和 NAND Flash 晶片價格漲幅預估由原預期的 8% 和 10%，調升至 13% 和 20%。瑞銀證券最新報告也認同國際 DRAM 大廠搶攻 HBM，造成標準型 DRAM 產能排擠效應，將推升產業邁向上升周期。

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〈DRAM 商機 台灣準備好了〉

半導體專家楊瑞臨指出，AI 的推論功能將逐漸從雲端擴散至終端裝置，邊緣 AI 市場預計 2025~2026 年進入爆發式成長，記憶體需求同步攀升，台灣的 DRAM 產業迎來重生機會，南亞科 (2408-TW) 的高密度 RDIMM 產品效能佳，比 HBM 具有數倍的溢價優勢，估計約有 10% 滲透率，計劃在 2025 年第三季或第四季前量產；華邦電(2344-TW) 第二季進行 20 奈米製程升級，推出 4Gb DDR4 新產品，並規劃下一世代 DRAM 製程朝 16 奈米發展；愛普 (6531-TW) 推動 VHM 3D 整合專案研發，與力積電 (6770-TW) 合作開發 3D 封裝堆疊技術，預計 2024 年下半年問世；鈺創 (5351-TW) 開發 MemoraiLink 高效 AI 記憶體平台，整合 AI、專精型 DRAM、記憶體控制 IP 及封裝技術，有效縮短新品上市時間，預計 2024 年下半年陸續出貨。

下半年隨著市場擴大推出 AI 手機、NB、PC 等產品，對於邊緣運算所需的記憶體用量將明顯增加，過去幾年因消費電子需求不振，大廠對 DRAM 資本支出明顯放緩，目前因 AI 伺服器大量 HBM 需求而排擠到 DRAM 生產，因此一旦市場對 AI 手機、NB、PC 等產品接受度提高，DRAM 供不應求狀況將明顯浮現，久久一次的循環周期值得期待，相關廠商自然不會錯過這個大好機會，記憶體相關概念股如何操作，建議投資人不要單打獨鬥，換上富人的思維尋求專業，先下載陳智霖分析師 APP 來體驗每週的精選操作名單熟悉我們的操作，平日的晚上 19:00 也都會有智霖老師親自撰寫的免費分析文章，選股到價盤中通知也已經正式上線解決投資朋友們無法盯盤的痛點，沒有下載 APP 真的就是你的損失喔！關於股市最新的行情看法可以立即點選下方影音收看老師本週六最新的直播節目。

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文章來源：陳智霖分析師 / 亨達投顧

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