中國記憶體晶片反攻：長江存儲出貨294層快閃記憶體晶片

TechInsights 分析顯示，長江存儲已開始出貨其第五代 3D NAND 儲存 晶片，該晶片共有 294 層，有 232 個有效層。新晶片的位元密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²)，與 SK Hynix 目前的產品相當，接近 Kioxia / 西部數據的最新產品。

在全球半導體晶片市場中，記憶體晶片的需求量僅次於處理器晶片。長期以來，這個市場一直由三星、SK 海力士、美光以及西部數據等國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。

然而，隨著中國國產記憶體晶片技術的持續突破，以及本土儲存廠商的崛起，中國記憶體晶片產業似已開始反攻。

根據中國海關的資料顯示，2024 年度中國海關的晶片 (積體電路) 進口金額高達 27499 億元，較去年增長了 11.8%。其中，「處理器及控制器」的進口金額為 13719 億元，而「儲存器」的進口金額則約為 7000 億元，占據全部進口額的四分之一左右。這顯示出中國市場對記憶體晶片的巨大需求，以及本土供應鏈的重要性。

值得注意的是，長江存儲的新晶片採用了 Xtacking 4.0 架構和三級單元 (TLC) 設計。雖然介面速度等詳細效能指標尚未公佈，但這些參數與主要競爭對手的架構類型相符。此外，長江存儲使用混合鍵合將記憶體陣列與邏輯組件連接，這表明中國記憶體製造商已跟上競爭對手的封裝標準。

儘管 SK 海力士和三星在 NAND 技術上仍處於領先地位，SK 海力士已成功量產 321 層 NAND 快閃記憶體，而三星也已開發出 400 層堆疊 NAND 快閃記憶體技術。然而，長江存儲正快速追趕，據說其 Xtacking 5.0 架構已基本開發完成，未來有望與 SK 海力士的 321 層晶片匹敵，甚至實現超越。

另一家中國產記憶體晶片龍頭，長鑫存儲也推出了 DDR5 第七代記憶體，打破了三星、SK 與美光在 DDR5 上的壟斷。雖然中國產 DDR5 的工藝或在 17.5nm 左右，與三星等國際大廠的水平仍有差距，但差距已不大。

根據拆解資訊，中國產 DDR5 晶片的尺寸比三星最新的 DDR5 產品大約 40%，但與三星第一代 DDR5 以及美光、SK 海力士的第一代 DDR5 尺寸相近。