美光宣佈1γ DRAM開始出貨 率先用於16Gb DDR5

美光 (MU-US) 今 (26) 日宣布，業界首款基於第六代 (10 奈米等級) 採 1γ(1-gamma)製程節點的 DRAM DDR5 記憶體樣品將出貨至生態系統中的合作夥伴和指定客戶進行驗證，預期將首先應用於 16Gb DDR5 DRAM，未來也不排除應用在 HBM 上。

1γ DRAM 是美光繼領先業界的 1α(1-alpha) 和 1β(1-beta) DRAM 製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣 AI 設備，如 AI PC、智慧型手機及汽車等未來運算平台。

美光 1γ DRAM 節點將首先應用於其 16Gb DDR5 DRAM，之後再陸續整合至美光的記憶體產品組合中，以因應 AI 產業對高效能、節能記憶體解決方案快速增長的需求。此 16Gb DDR5 產品旨在提供高達 9200MT / 秒的資料傳輸速率，與前一代產品相比，增速高達 15%，功耗則同時降低逾 20%。

隨著資料中心和邊緣裝置紛紛導入 AI，記憶體的需求已飆升至史上新高。美光向 1γ DRAM 節點的邁進，有助於客戶克服需解決的關鍵挑戰，基於 1γ 製程的 DRAM 效能更高，足可支援從資料中心到邊緣裝置等各種記憶體產品的運算擴充，從而滿足未來 AI 工作負載的要求。

美光的 1γ 節點採用下一代高介電質金屬閘極 CMOS 技術，並搭配設計最佳化後，可節省功耗超過 20%，讓散熱特性更為優異，同時提高位元密度產出，美光的 1γ 節點採用 EUV 微影技術、設計最佳化及製程創新，與前一代製程相比，每片晶圓的位元產出量多出 30% 以上，能有效擴大記憶體供應。

美光執行副總裁暨技術和產品執行長 Scott DeBoer 表示，美光運用其開發專有 DRAM 技術的專業知識，搭配 EUV 微影技術的策略性運用，形成頂尖 1γ 記憶體的強大產品組合，以推動 AI 產業生態系統向前邁進。1γ DRAM 節點可產出更高的位元密度，證明美光傲人的製造實力和效率，使公司能夠擴大記憶體供應，以滿足整體產業持續增長的需求。

美光在經過多代驗證的 DRAM 技術和製造策略的基礎上，造就出此一最佳化 1γ 節點的誕生。1γ DRAM 節點的創新得益於 CMOS 技術的進步，包括下一代高介電質金屬閘極技術的進展，可提高電晶體效能以獲得更佳速度能力、設計最佳化和特徵尺寸的微縮，帶來節能和效能擴展的優勢。

此外，美光透過結合 EUV 微影技術、高縱橫比蝕刻技術與設計創新，1γ 為業界提供無與倫比的位元密度優勢。同時，透過開發 1γ 節點及全球製造據點的生產佈局，美光可為業界提供更卓越的技術和強大的供應韌性。

美光科技執行副總裁暨業務執行長 Sumit Sadana 指出，公司再一次引領業界，推出全球最先進的記憶體技術。美光的 1γ DRAM 無疑是一項突破性的成就，具備無與倫比的能源效率與卓越的效能表現。美光 1γ DRAM 產品將提供適用於各個領域的可擴充記憶體產品，包括從資料中心到邊緣裝置，賦能 AI 生態系統，以利我們的客戶滿足產業日新月異的需求。