美禁令催化技術自主 大摩：中國HBM技術差距縮短至3-4年

摩根士丹利 (MS-US)5 月 26 日報告指出，中國在高頻寬記憶體 (HBM) 技術上正快速追趕全球領先者，目前僅落後 3-4 年。美國出口禁令促使中國技術自主化加速，結合 Hybrid Bonding 封裝技術優勢及本土 AI 需求激增，中國有望重塑全球記憶體市場格局。

長鑫存儲 HBM 發展時程大幅提前

根據大摩調查，長鑫存儲的 HBM 發展計劃已顯著加速，HBM2E 樣品已於 2025 年上半年交付客戶，計劃在 2026 年上半年量產；原定明年推出 HBM2 的目標已提前，2026 年將開發 HBM3，2027 年推出 HBM3E。

南韓媒體 Newdaily 也引述業界消息證實，長鑫存儲正加速 HBM3 開發進程，計劃於 2026 年進入量產階段，隔年再推出 HBM3E。面對中國在 HBM 技術上的急起直追，當地部分業界人士憂慮歷史重演，擔心如同當年 LCD 產業一般，韓廠的技術優勢再次被中國廠商追平甚至超越。

大摩認為，中國在 HBM3 技術發展上目前約落後全球領先者 3-4 年，但通過國家主導的資金和研發支持，因此有望縮小 HBM 技術差距。基於 2024 年下半年 HBM2 量產情況，若長鑫存儲在 2026 年實現 HBM3 量產，技術差距將從 4 年縮短至 3 年。

此外，長鑫存儲也在產能規劃上展現雄心，計劃到 2026 年底將 HBM 月產能提升至約 1 萬片，2028 年底擴充至 4 萬片。大摩估計 2025 年底全球 HBM 產能為每月 34 萬片。

華為的昇騰 910B 配有 4 顆 HBM2E，最新的 910C GPU 則配備 8 顆 HBM2E，在 2024 年 12 月美國對中國 HBM 供應禁令生效前，主要從韓國採購。其他中國 GPU 廠商如壁仞科技 BR100、燧原科技 DTU、天數智芯目前也主要使用韓國的 HBM2 和 HBM2E。

為因應供應鏈風險，長鑫存儲正與通富微電合作，為華為 AI 加速器及其他中國客戶開發本土 HBM 解決方案，隨著技術成熟，預期中國 GPU 廠商將逐步轉向國產 HBM。

中國在 Hybrid Bonding 封裝技術 IP 實力不容小覷

最值得關注的是，中國在 Hybrid Bonding 專利方面處於全球領先地位。據 ZDNet 從法國專利分析公司 KnowMade 獲取的數據，2017 年至 2024 年 1 月期間，長江存儲申請了 119 項 Hybrid Bonding 相關專利，遠超南韓三星電子的 83 項和 SK 海力士的 11 項。

長江存儲所使用的 Xtacking 技術已發展到第三代，運用 Hybrid Bonding 技術量產 NAND Flash 已有近四年經驗。

隨著 Hybrid Bonding 封裝技術的進步，這項技術成為 HBM4 及未來產品的關鍵。因為相比於傳統的 TC bonding，Hybrid Bonding 無需凸點即可直接連接晶片，能實現更薄的堆疊、更多的層數，降低信號損耗，並在更小的間距下實現更高的良率。根據 TrendForce 的觀點，主要的 HBM 製造商正考慮最早從 2027 年的 HBM4e 產品開始採用 Hybrid Bonding 技術。

中國本土 AI 需求激增推動 HBM 發展

隨著 DeepSeek 通過架構和軟體創新顯著提升運算效率，AI 推理的門檻已大幅降低，甚至遊戲 GPU 卡也足以支援中小企業和個人大規模運行 DeepSeek R1 模型。

大摩預測，若假設中國 30-40% 的非超算客戶採用工作站解決方案進行 AI 推理，則 2023-2027 年中國遊戲 GPU 市場複合年成長率有望從原本的 4% 提升至 10%，到 2027 年將占整體市場的 15% 以上。

隨著 DeepSeek R1 的推出，中國對推理訓練及整體運算的需求加速成長，這為本土 HBM 技術發展提供了強勁的市場需求支撐。

中國半導體生態系統日趨完整

大摩強調，以記憶體為核心的中國半導體生態系統更具競爭力。中國已在多個領域開發出具競爭力的本土解決方案，包括射頻晶片、基頻晶片、PCB、感測器、電池、鏡頭、金屬外殼及終端組裝。

根據半導體行業協會 (SIA) 的數據，中國目前占全球前段半導體製造產能的 20% 左右，後段製造產能的 40% 左右。中國在 28 奈米以上成熟製程半導體的市佔率更是顯著成長，預計到 2027 年，全球約 37% 的晶圓製造產能將集中在中國。

除了長鑫存儲外，其他中國企業也積極布局：如武漢新芯正啟動專注於開發和製造 HBM 的項目；江蘇長電最近也展示了其專為 HBM 設計的 XDFOI 高密度扇出型封裝解決方案。

此外，受美國出口限制影響，輝達 H20 在今年 4 月 16 日遭禁售後，估計中國發展本土 HBM 技術的需求將越來越迫切。

全球記憶體格局面臨重塑

大摩認為，儘管仍存在早期技術瓶頸，但中國在 HBM 生產上的快速進展可能引發更激烈的競爭、價格波動及全球 DRAM 格局的轉變，這對記憶體相關企業的長期資本回報率及其估值倍數具有重要影響。

中國記憶體行業正重現日韓發展軌跡，日韓均通過記憶體產業成為全球半導體領導者。從技術規格看，中國 DRAM 水平已與 2021 年的全球競爭對手相當，表明 HBM3 並非遙不可及。

大摩總結，應對美國出口管制需要顯著的適應性調整，出口管制的進一步緊縮，正促使中國加速發展技術。儘管中國在出口管制、半導體設備及全球市場進入方面仍面臨挑戰，但相信其正在 HBM 領域迎頭趕上，且隨著市場轉向低成本 AI 推理，中國有望在 HBM 與高端 DRAM 市場進一步提升競爭力。