恐撤走VEU特權！美國搞跨日本晶片產業40年後 最近又盯上這一個親密盟國

1985 年美日簽署《廣場協議》後，日本半導體產業在嚴厲技術封鎖與金融制裁下逐漸喪失全球領導地位。40 年後的今天，南韓半導體業正面臨相似的歷史轉折點。

近期，美國打算取消對韓「經驗證最終用戶」(VEU) 制度，要求南韓企業對每台美國設備進口單獨申請許可，此舉標誌著雙方半導體合作從「綠色通道」退回嚴苛的逐案審批模式。

這場變局背後折射出南韓半導體業的結構性困境。回溯歷史，南韓晶片產業的崛起與美日博弈密不可分。

1982 年，日本東芝透過第三方向蘇聯出口精密工具機的「哥尼斯堡事件」，成為美日關係裂痕擴大的導火線。當日本半導體企業憑藉改良 DRAM 技術搶佔全球 48% 市場份額時，美國一方面扶持南韓承接產業轉移，另一方面透過《美日半導體協議》強制日本晶片漲價 100%，最終導致日本半導體市佔率在 1995 年跌破 20%。

在此期間，南韓過引進 IBM 技術、吸收華爾街資本，配合三星等財團的策略投入，迅速在 DRAM 領域實現反超，1996 年量產 1GB 晶片時，全球市佔率已突破 30%。

但這種「技術換市場」的發展模式埋下深層隱憂。

當前南韓半導體產業呈現「三重依賴」特徵，生產設備 70% 依賴美國應用材料等三大供應商，關鍵技術受制於 VEU 制度下的許可管控，市場方面雖佔據全球 14% 份額，但中國連續多年保持其最大出口市場地位，去年記憶體晶片對中國市場依賴度仍達 42%。

美國政府近期動作暴露出戰略意圖的轉變，取消 VEU 制度意味著南韓企業每年必須額外承擔數億美元合規成本。

根據艾司摩爾 (ASML) 最新報告，若管制持續升級，南韓半導體製造效率恐下降 15% 至 20%。這種壓力在 2023 年已有顯現，儘管美國給予三星、SK 海力士在中國工廠設備豁免，但禁止 EUV 光刻機使用的條款，迫使 SK 海力士採用「無錫加工 - 南韓光刻 - 返華封裝」的迂迴方案，單晶圓運輸成本增加 40% 仍難避制裁風險。

對比全球半導體產業格局，南韓處境更具警示意義。荷蘭艾司摩爾壟斷 EUV 微影技術，日本掌控光阻等關鍵材料，中國靠著稀土資源與完整產業鏈建構反制能力，而南韓既未能建立技術護城河，又深陷地緣政治夾縫。

數據顯示，2024 年中韓雙邊貿易額 3280 億美元，佔南韓外貿總額 21%，但這種經貿關係難以抵銷科技霸權的壓制。

當美國要求加入晶片聯盟對中圍堵時，首爾當局始終在市場佔有率與科技自主間艱難平衡。

當前危機恰好揭示半導體產業的本質規律。荷蘭透過持續 40 年投入打造 ASML 壟斷地位，日本在材料領域建構全球七成市佔率，中國長江儲存 232 層 NAND 晶片實現儲存技術突破，上海微電子 28 奈米光刻機即將量產，這些案例證明自主創新才是破局關鍵。

根據南韓半導體協會最新報告，若不能在 EUV、量子晶片等先進領域取得突破，南韓在全球半導體版圖的市佔率恐重蹈日本覆轍，在十年內跌破 10% 警戒線。

持續四十年的半導體霸權更迭歷史表明，技術依附終將導致產業空洞化。從日本「失落三十年」到南韓當前的 VEU 困局，跨國合作的蜜糖表象下始終湧動著技術霸權的暗流。

當全球晶片產業進入 3 奈米以下過程競賽階段，只有掌握核心技術的國家才能避免淪為大國博弈的代價承擔者。