SK海力士宣布引進High NA EUV 為記憶體業首家

SK 海力士今 (3) 日宣佈，已將量產型高數值孔徑極紫外光刻機 (High NA EUV) 引進韓國利川 M16 工廠，為記憶體業界首創。進度超越三星、美光。 

SK 海力士此次引進的設備為 ASML 推出的 TWINSCAN EXE：5200B，是首款量產型 High-NA EUV 設備。與現有的 EUV 設備 (NA 0.33) 相比，其光學性能 (NA 0.55) 提升 40%，使其能夠製作出精密度高達 1.7 倍的電路圖案，並將集成度提升 2.9 倍。 

SK 海力士表示，全球半導體市場競爭愈發激烈下，公司已成功構建起快速研發並供應高階產品的能力，以滿足客戶需求的堅實基礎，通過與合作夥伴密切合作，公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性。

半導體製造公司為了提升產品性能和生產效率，微細製程技術的優化顯得重要。電路圖案製作越精密，每塊晶圓上可生產的電晶體數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。

SK 海力士自 2021 年首次在第四代 10 奈米級 (1a) DRAM 中引入 EUV 技術，後續也不斷將 EUV 應用擴展至先進 DRAM 製造領域，但為滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求，引進超越現有 EUV 的下一代技術設備必不可少。 

SK 海力士計劃通過引進該設備，簡化現有的 EUV 製程，加快下一代記憶體的研發進度，以確保在產品性能和成本方面的競爭力。此舉有望鞏固其在高附加值記憶體市場中的地位，並進一步確實技術領導力。

ASML 韓國公司總經理金丙燦社長表示，High NA EUV 是開啟半導體產業未來的核心技術。公司將與 SK 海力士緊密合作，積極推動下一代半導體記憶體技術的創新進程。

SK 海力士未來技術研究院長兼技術長 (CTO) 車宣龍副社長表示，通過此次設備引進，SK 海力士為實現公司未來技術發展願景奠定了核心基礎設施。公司將以最先進技術，為快速增長的 AI 和新一代計算市場開發所需高階記憶體，引領面向 AI 的記憶體市場。

SK 海力士今日舉辦進機典禮，包括 ASML 韓國公司總經理金丙燦社長、SK 海力士未來技術研究院長兼技術長 (CTO) 車宣龍副社長、SK 海力士製造技術擔當李秉起副社長等領導共同出席，慶祝下一代 DRAM 生產設備的引進。