三星重大突破！傳HBM3E通過輝達認證 HBM4之戰全面引爆

綜合韓媒報導，三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，據傳已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，這代表該技術將成為輝答最強大人工智慧加速器的重要供應來源。

消息人士透露，這項核准距離三星完成晶片開發已有 18 個月之久，期間的數次測試均未能滿足輝達苛刻的性能要求。此外，三星的 HBM3E 也已透過 AMD MI350 的測試，並可與輝達的新 B300 Blackwell Ultra GPU 搭配使用。

由於輝達先前已轉向 SK 海力士和美光尋求所需的 HBM3E 供應，消息人士認為，輝達的訂單相對會比較少。

不過，對三星來說，供貨與其說是為了收入，不如說是為了自尊。獲得輝達的認可意味著其技術重回正軌，如今憑藉這項突破，這家韓國巨頭有信心能夠像競爭對手一樣按時進軍 HBM4 市場。

作為第六代頻寬記憶體，輝達計劃在明年上市的新 Vera Rubin 架構上使用這種晶片。

作為關鍵競爭指標，輝達已經要求供應商將 HBM4 的資料傳輸速度推高至每秒超過 10Gb，大幅高於 8Gb 的業界標準。消息人士透露，三星已經展現了達到 11Gbps 的能力，高於 SK 海力士的 10Gbps，而美光科技則難以滿足這項要求。

據稱，三星是首家憑藉 HBM4 達到 11 Gbps 速度的公司，這歸功於採用了 1c DRAM 技術和三星晶圓代工廠製造的 4 奈米邏輯晶片。此外，HBM4 的供應鏈也可能擴展到 AMD、博通和 Google 等公司。

消息人士指出，三星計畫本月向輝達大量出貨 HBM4 樣品，希望在儘早獲得認證。三星先曾表示，正在與輝達、博通 (AVGO-US) 以及 Google(GOOGL-US) 等主要 AI 晶片廠商就 HBM4 進行洽談，最快可在 2026 年上半年開始大規模出貨。

如果能夠在 HBM4 的競爭中儘早獲得輝達認證，三星有望在這一關鍵記憶體市場上奪回市場份量。