HBM4霸權爭奪戰：美光開發受挫、SK 海力士領跑、三星急追

根據南韓媒體報道，美光科技 (MU-US) 的 HBM4 產品，難以滿足輝達 (NVDA-US) 嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。

廣發證券香港分行更是悲觀表示，美光 HBM4 晶片對輝達的出貨將推遲到 2027 年。另傳業內人士批評，這不是單純的延遲，而是美光「主動退出下一代 AI 供應鏈的爭奪戰」。

SK 海力士：獨步全球率先量產

與此同時，SK 海力士持續鞏固其在 HBM 市場的獨步地位，並於 9 月率先宣布完成全球首條 HBM4 量產體系的建置。HBM4 是為應對 AI 產業及數據中心市場對極高頻寬和電力效率的要求而設計的尖端半導體。

SK 海力士的 HBM4 產品展現出驚人性能：不僅將頻寬（HBM 封裝單次處理的總數據容量）擴大兩倍，同時將電耗效率提升了超過 40%。業界預期，將該產品導入系統後，AI 服務性能有望提高多達 69%，能有效從根本上解決數據瓶頸問題，並大幅降低數據中心的電力成本。

據報導，SK 海力士的 HBM4 已通過主要客戶輝達的驗證，並計畫於 2025 年第四季開始供貨。

三星電子：加速競爭腳步

競爭對手三星電子也已完成 HBM4 產品開發，並積極準備投入市場競爭。三星最近在 2025 年半導體大展（SEDEX）上首次公開展示了 HBM4 實物，並計畫利用其 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 製程導入量產體系。這項策略旨在速度和功耗效率方面取得相對優勢。

技術層面上，三星的 HBM4 量產已亮起青燈。消息指出，作為 HBM4 量產關鍵的邏輯晶片（Logic Die）良率已提升至驚人的 90%，DRAM 單品良率也已超越可量產水準。三星的 HBM4 預計在 2025 年第四季度推出，目前沒有延遲的跡象。

市場洗牌：韓系雙雄瓜分千億美元市場

HBM4 對於 AI 和數據中心的高功率運算至關重要，要求遠高於前幾代產品。分析師警告，若美光持續落後於 SK 海力士和三星，恐錯失 AI 數據中心的大量訂單。當前市場格局顯示，SK 海力士以 62% 的份額壟斷 HBM 市場，三星則在後蓄力衝刺 30%。

業界預估，HBM 市場規模將在 2026 年暴漲 70%，並於 2030 年衝破千億美金量級。