全球記憶體「超級週期」是真牛市還是泡沫前夕？伯恩斯坦：2026年財報見真章

根據華爾街機構伯恩斯坦 (Bernstein) 發布的最新研究報告，全球記憶體市場正經歷一個顯著的超級週期，價格上升趨勢料將持續，但隨著資本支出的增加，2026 年底可能開始逐步正常化。報告中也強調，儘管價格最終會回落，但成本下降將支撐利潤率維持高位，讓本輪週期成為業界表現最佳的時期之一。

伯恩斯坦上述報告是基於最新產業模型更新，包括對三星、SK 海力士、美光等巨頭的分析，強調 HBM 和傳統記憶體的互動關係。

報告分析，DRAM 和快閃記憶體 (NAND) 價格在市場需求強勁的推動下，自 2025 年以來持續上漲。主要供應商如三星、SK 海力士和美光打算在 2026 年大幅增加 DRAM 領域的資本支出，預計整體產業資本支出將成長 40%，以擴大產能。

然而，由於設備訂單到產能釋放存在時滯，新增供給在 2026 年底前難以緩解市場短缺，因此價格漲勢恐延續至 2026 年下半年，之後漲幅收窄，2027 年底趨於平穩，尤其值得注意的是，高頻寬記憶體 (HBM) 因 AI 需求旺盛，價格表現將更為堅挺，HBM3E 價格下跌可能被 HBM4 的溢價抵消，整體 HBM 市場預計 2026 年位元出貨量成長 100%，2027 年再增加 35%。

在利潤率方面，伯恩斯坦預測 2026 年第四季 DRAM 毛利率可能達到 77% 的歷史新高，即便 2027 年價格正常化，毛利率仍將維持在 62% 左右的高點。這種態勢得益於成本下降與價格高企的共同作用，使得下行階段僅為「正常化」而非暴跌，從而造就史上最強週期。

相較之下，NAND 市場的資本支出成長較為有限，預計 2026 年增幅為 30%，但基數較低，整體支出規模仍遠低於 2022 年水平，因此 NAND 價格走勢可能不如 DRAM 顯著。

中國企業如長鑫存儲和長江存儲正利用當前市場機會擴大產能，預計 DRAM 和 NAND 市佔率將從 2025 年的 8% 和 12%，分別提升至 2027 年的 10% 和 15%。

然而，由於基期較低，新增供給短期內不足以扭轉市場短缺格局。長鑫存儲恐優先供應 HB 來以支援中國 AI 晶片發展，將進一步限制傳統 DRAM 的產能釋放。

長期來看，中國企業在 NAND 領域可能構成更大威脅，因技術迭代對極紫外光微影設備依賴較低，但短期內對全球市場影響有限。

伯恩斯坦在報告中也提醒，記憶體類股票波動率較高，容易受到宏觀風險和 AI 泡沫擔憂影響，建議投資人保持謹慎。儘管對 DRAM 市場持結構性樂觀態度，但對 NAND 市場相對悲觀，因需求永續性存疑。整體來看，記憶體作為資料經濟的基石，其超級週期仍有上漲空間，但必須關注 2026 年後的產能釋放訊號。

隨著雲端服務商和 AI 專案需求明確，記憶體市場的結構性邏輯不變，但短期波動可能加劇。投資人應密切關注即將發布的財報和資本支出計畫，以掌握市場轉折點。