鉅亨網記者魏志豪 台北
DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (19) 日召開法說會,會中宣布今年資本支出將達 500 億元,創下歷史新高,年增 273%,主要用於擴充新廠產能,預計 2028 年上半年將有 2 萬片新產能開出,屆時將用於生產 DDR4/LPDDR4、DDR5/LPDDR5 與新技術等。

南亞科原預計 2025 年資本支出預算上限為 196 億元,實際支出 134 億元,2026 年資本支出預計約 500 億元,當中有 62 億元為去年的預算遞延至今年,剩餘 438 億元有 70% 用於廠務設施、30% 用在設備,實際支出尚待董事會決議核准。
南亞科持續深化多元產品佈局,128GB DDR5 RDIMM 5600/6400 已通過功能性測試,Mono-die 速度達 7200 Mb/s,同時並持續優化 DDR4 與 LPDD4 的供應,以滿足消費市場需求。
南亞科 10 奈米級第三代製程 (1C)、第四代製程 (1D) 與客製化 AI 專案皆如期進行,新廠則預計於 2027 年年初開始裝機,2028 年上半年開始量產,初期產能約 2 萬片,以提供具競爭力的下一世代記憶體解決方案。
以產品結構來看,南亞科目前 DDR5 產出比重約 1 成多,DDR3 約 2 成,其餘仍以 DDR4 與 LPDDR4 為主。公司表示,2026 年將視市場供需狀況與客戶需求,動態調整產品組合。
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