NAND晶圓成本單月飆漲25% 專家示警：行業恐面臨周期性崩潰

最新市場數據顯示，今年 2 月記憶體現貨價格整體上揚，其中 NAND 快閃記憶體晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續擴大，現貨價格快速攀升，採購資金壓力同步增加，若趨勢不變，業界恐面臨周期性崩潰風險。

具體來看，DDR5 16G(2Gx8) 晶片均價升至 39 美元，月增 7.4%，1Tb TLC 快閃晶圓漲 25% 至 25 美元，成為月度漲幅冠軍。雖然春節假期使 2 月中的交易降溫，但假期後市場迅速回溫，價格持續向上。

DDR4 表現則較分化，16Gb(2Gx8) 幾乎持平，僅微漲 0.26% 至 78.1 美元，8Gb(1Gx8) 上漲 6.8% 至 33 美元。相較今年 1 月普遍 20 至 30% 漲幅，DDR4 明顯放緩，DDR3 4Gb(512Mx8) 則上漲 7.5% 至 5.70 美元，專家認為此現象多屬季節性因素，非市場壓力緩解。

與此同時，合約價格預期也大幅上調。TrendForce 上月初將 2026 年第一季傳統 DRAM 合約價漲幅由 55% 至 60% 上修至 90% 至 95%，PC DRAM 更預估季增翻倍，創新紀錄，NAND 合約價則由 33% 至 38% 上調至 55% 至 60%。

推升價格的主因是 AI 基礎建設帶動伺服器 DRAM 與 HBM 需求，持續吸納產能，使傳統 DRAM 與消費級 NAND 供應吃緊。

在 NAND 市場，2 月現貨漲價僅是長期趨勢一環，自去年 10 月以來，1Tb QLC/TLC 晶圓價格已飆漲約三倍，512Gb TLC 更猛漲近五倍，主因是廠商將更多產能轉向高利潤企業級 SSD，壓縮模組廠的晶圓供應，持續推高市場價格。