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2011 年，負債超過 15 兆韓元的 SK 海力士 (HXSCF-US) 深陷記憶體產業低谷。全球 DRAM 價格大跌，加上承接前身現代電子與 LG 半導體合併後留下的債務，公司成為韓國銀行業的不良資產。當時韓國多家大型財閥對這項資產避之唯恐不及，認為半導體產業週期波動劇烈且資本支出龐大，恐怕是一個無底洞。
就在市場普遍看空之際，SK 集團選擇逆勢出手。2012 年 2 月 14 日，SK 集團以取得 21.05% 股權的方式正式接手海力士。據資料顯示，SK 集團當時透過增發新股方式注資，使資金直接流入公司而非債權銀行。外界回憶，SK 集團會長崔泰源當時提出「資訊會成為下一桶石油」的觀點，成為其押注記憶體產業的重要依據。
海力士當時的困境可追溯至 1997 年亞洲金融風暴後的韓國產業整併政策。1999 年完成現代電子與 LG 半導體整合後，2000 年網路泡沫破裂，DRAM 價格暴跌約 75%，導致公司背負沉重債務壓力。2002 年至 2007 年間，公司雖數度轉虧為盈，但每次剛回穩便再遭半導體景氣循環衝擊，2008 年金融危機更進一步惡化營運。
接手後，崔泰源改變過去由銀行主導的保守經營模式，宣布未來 10 年投入 46 兆韓元建設 3 座晶圓廠與擴大技術研發。就在 SK 完成交易兩週後，日本 DRAM 大廠爾必達宣布破產保護，使全球 DRAM 供給收縮並推升價格，海力士也於當年重返獲利。
真正改變海力士命運的關鍵則是高頻寬記憶體 (HBM)。
2013 年 12 月，海力士率先發表全球首款 HBM 產品。相較傳統 DRAM 晶片採水平排列，HBM 採用垂直堆疊設計，大幅縮短資料傳輸距離，同時提高頻寬與效率。HBM 技術最早源自超微 (AMD-US)2007 年啟動的專案，當時包括三星電子與其他業者對該市場前景並不看好，海力士則選擇投入合作。
然而，海力士率先開發 HBM 後並未立即迎來成果。2016 年三星電子搶先量產 HBM2 產品，隨後輝達 (NVDA-US) 推出專為 AI 計算設計的 Tesla P100 GPU，採用三星 HBM2 方案。市場競爭失利使海力士一度面臨巨大壓力，當時 HBM 全球需求規模甚至不到整體 DRAM 市場的 1%，營收無法覆蓋研發成本。
即使如此，海力士仍選擇持續投入 HBM 技術。2019 年，海力士率先推出 HBM2E 產品，效能較前代大幅提升，重新奪回技術優勢。此後，公司持續加碼 MR-MUF 封裝技術研發，藉由特殊液態環氧樹脂改善高堆疊晶片的散熱與良率問題。
市場人士指出，MR-MUF 後來成為 HBM3 與 HBM3E 量產的重要關鍵。由於相關材料主要依賴日本供應商，海力士提前建立長期合作優勢，也為後續競爭建立技術護城河。
2022 年 11 月 30 日，OpenAI 推出 ChatGPT，AI 產業進入爆發階段。大型語言模型對記憶體容量與頻寬需求急速攀升，使 HBM 需求出現爆炸式成長。
以 ChatGPT 大型模型為例，單純模型權重儲存容量即達約 350GB，實際運行總記憶體需求更達權重容量的 3 至 5 倍。當時輝達 AI 加速器 H100 每顆需搭配 6 至 8 組 HBM3 堆疊，而海力士成為全球唯一能穩定量產 HBM3 的供應商。
AI 浪潮也迅速反映於財務表現。2025 年第一季，海力士 HBM 全球市占率約達 70%。全年營業利益達 47.21 兆韓元，首度超越三星電子全公司 43.53 兆韓元的水準。值得注意的是，三星電子業務涵蓋智慧手機、家電、顯示器與晶圓代工等多項領域，而海力士則主要聚焦記憶體產品。
市場預估，2026 年海力士年度獲利有望突破人民幣 1 兆元，公司市值亦逼近 1 兆美元。若以 2012 年 SK 接手時約 13 兆韓元市值計算，14 年間增幅約達 90 倍。
從一度被視為無人接手的燙手山芋，到成為 AI 時代核心受惠者，SK 海力士的崛起不僅是一家企業翻身故事，也凸顯高頻寬記憶體在 AI 基礎建設中的戰略地位，以及技術押注對產業格局的長期影響。
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