NVIDIA、Google下一代基建敲定！AI資料中心進入高壓直流時代

當市場還在緊盯算力晶片，AI 資料中心的致命瓶頸已悄然轉向電力。隨著 NVIDIA Vera Rubin 平台與 Google 下一代基建敲定於最快第三季起導入 800V 高壓直流架構，正式宣告高壓直流時代來臨！這場從低壓到高壓的電力革命，不僅引爆全球功率半導體龍頭調漲報價，更推升整體功率元件與高壓 MOSFET 族群進入新一輪供緊的結構性大循環。

〈AI 資料中心進入高壓直流時代，電力與散熱升格核心基建〉

NVIDIA Vera Rubin 平台與 Google 下一代 AI 資料中心，已成為首波導入 800V 高壓直流 (HVDC) 的代表，初期出貨最快有望自今年第三季展開，顯示高壓直流架構正從概念走向量產。當 AI 機櫃功率密度持續上升，傳統低壓供電將面臨電流過大、轉換損耗與散熱壓力等挑戰，因此以更高電壓降低損耗、並整合液冷設計的供電方案，已成為下一代資料中心的主流方向，資料中心競爭已從伺服器規格延伸到整體電力基礎設施能力。

〈功率元件漲價循環啟動，IDM 與高壓 MOSFET 族群率先受惠〉

隨著 AI 伺服器高壓供電需求擴大，功率半導體也正式進入新一輪景氣循環大 Infineon 自 4 月 1 日起調漲部分功率開關與相關 IC 價格，反映 AI 資料中心擴建、供應吃緊與成本上升壓力已開始往上游傳導， 這使具備定價能力與產能優勢的 IDM 廠商，包括強茂 (2481-TW)、德微(3675-TW) 與台半 (5425-TW)，成為本波最直接的受惠族群；其中強茂(2481-TW) 受惠於 AI 伺服器、車用與工控三大需求並進，德微 (3675-TW) 則受惠轉單與泛 AI 滲透率提升，台半 (5425-TW) 則可望在高壓保護元件與車用功率元件雙線布局下，掌握高壓架構升級所帶來的新需求。

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〈Fabless 與利基型廠商補位成長，台廠全面卡位 AI 電力鏈〉

除 IDM 廠外，Fabless 與利基型供應商也正受惠於 AI 供電架構升級，由於 800V HVDC 與高功率密度設計將同步拉升高壓 MOSFET、Dr.MOS、熱插拔元件與保護元件需求，讓富鼎 (8261-TW)、大中(6435-TW)、廣閎科(6693-TW) 與博盛 (7712-TW) 等業者擁有明確切入點，其中富鼎 (8261-TW) 受惠於高壓 MOSFET 提前布局，大中 (6435-TW) 受惠 AI PC 與伺服器電源管理升級，廣閎科 (6693-TW) 則因 AI 伺服器 MOSFET 需求快速成長而具備營運彈性，這波 AI 基建升級不再只是晶片商的獨角戲，而是從電源系統、散熱模組一路延伸到功率元件與保護元件的全面擴散，台廠若能持續卡位高壓直流與高效率轉換架構，將有望成為下一輪 AI 基礎建設紅利的核心受益者。邀請投資人下載智霖老師的 APP 並鎖定直播，一起掌握產業最前線的產業脈動！

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文章來源：陳智霖分析師 / 凱旭投顧

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