鉅亨網編譯莊閔棻
美國銀行最新研究報告對南韓總統李在明力推的「2030 年記憶體產能翻倍」計畫潑下冷水，認為這項政策目標恐怕禁不起現實檢驗。
李在明於六月底端出一項總規模達 800 兆韓元的巨型投資案，計畫在南韓西南沿海的光州與全羅地區打造全新的記憶體產業聚落，希望到 2030 年時，讓三星電子與 SK 海力士兩大廠的 DRAM 晶圓產能較現在翻一倍。
三星與 SK 海力士目前合計囊括全球過半的 DRAM 市占率，在高頻寬記憶體（HBM）領域市占更超過八成。
美國的美光科技 (MU-US) 也不甘示弱，於七月初宣布將投入 93 億美元在日本擴產 HBM，預計兩年後開始出貨。
這項擴產宣示一出，市場立刻擔心未來記憶體供給過剩、價格崩跌，全球記憶體類股應聲重挫：美光單週暴跌一成五，鎧俠下跌一成，SanDisk (SNDKV-US) 市值更蒸發近兩成。
不過美國銀行分析師提醒，要判斷南韓記憶體供給是否真能如期大幅增加，現在下定論仍嫌太早。「產能翻倍」聽起來驚人，但若拆解到每一年，其實只等於約 15% 的年複合成長率。
更關鍵的是，若把舊廠因技術升級而關閉、以及製程微縮所造成的產能損耗一併扣除，實際能夠運轉的晶圓產能，每年擴張幅度恐怕連 10% 都不到，距離「翻倍」目標仍有相當落差。
供應鏈甚至傳出，SK 海力士到 2028 年實際能新增的產能，可能只有原訂計畫的六分之一。
物理條件也是一大挑戰。記憶體晶片業者指出，光州與全羅現階段的產業結構仍以石化、鋼鐵園區為主，等於一切基礎建設都要從零開始，光是打地基就要耗時約五年，後續無塵室建置與設備安裝還需三到四年，整套製造生態鏈真正建立起來，恐怕要超過十年之久。
也因此，有資深產業分析師直言，這項計畫在李在明總統任期屆滿前根本難以完成，目前政治宣示的意義恐怕大於實質效益。
與此同時，分析機構 Citrini Research 公布的最新數據則顯示，中國記憶體晶片廠長鑫存儲正快速崛起，製造規模已足以與美光正面較量。
根據該機構預測，若目前所有在建擴產項目都能如期完工，到 2026 年底，長鑫存儲的 DRAM 晶圓月產能將達到約 35 萬片。
相較之下，美光同期完成擴產計畫後，月產能預估約為 37.5 萬片。分析指出，對一家近年才為滿足內需而快速崛起的廠商來說，這樣的規模相當罕見。
報告還提到，長鑫存儲在無塵室建設速度上遠超同業平均，一座無塵室的建置週期約僅需 12 個月，反觀全球其他主要 DRAM 廠商通常需要 21 至 24 個月。
儘管受美方制裁影響、無法取得先進的極紫外光（EUV）微影設備，長鑫存儲仍透過深紫外光（DUV）微影結合多重曝光工藝，成功突破技術封鎖。
目前該公司已開始出貨採用 G4 製程節點的 16Gb DDR5 晶片，運行速度達 8000 MT/s，晶片面積較上一代縮小兩成；24Gb 模組與 LPDDR5X-10667 等更高階產品，也已進入量產階段。
除了技術進展，長鑫存儲母公司長鑫科技也將於 7 月 16 日啟動新股申購，擬募資 295 億元人民幣，僅次於中芯國際 (00981-HK) 的 532 億元，將成為科創板史上第二大 IPO，也是 2026 年全 A 股規模最大的新股案，市場預期其市值有望衝上 2 兆人民幣。
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