分析師反駁記憶體會供過於求！DRAM、HBM至少缺貨到2027年

隨著市場憂心記憶體晶片業者近來積極擴充產能，恐在未來造成供過於求，進而衝擊價格表現，記憶體股近期走勢疲軟。不過，多位分析師受訪時指出，現階段真正的隱憂並非產能過剩，而是供給仍舊吃緊。

根據《Seeking Alpha》報導，該報旗下分析師 Bohdan Kucheriavyi 表示，以目前情勢來看，產業面臨的問題恰恰相反。

SK 海力士 (SKHY-US) 執行長近期公開示警，2027 年恐將是記憶體產業史上供給最吃緊的一年；美光科技 (MU-US) 管理層在最近一次財報電話會議中也提出類似看法，直言目前幾乎所有產品類別的需求，都超過了公司到 2028 年的供應能力。

美光預估單季營收將衝上 500 億美元，Sandisk (SNDK-US) 更預期業績單季幾乎再翻倍成長，兩者皆顯示現有產能遠遠不足以應付市場需求。

為因應供給缺口，三星電子今年將把產能大幅擴充約五成；SK 海力士也計畫將基礎設施投資規模擴大數倍，並剛透過那斯達克掛牌籌得 265 億美元資金。

此外，南韓晶片產業預計將斥資至少 8,800 億美元，擴大晶片生產與資料中心建設。另一方面，美光也宣布，將於 2035 年前在美國投資超過 2,500 億美元。

值得注意的是，大部分新增產能將於 2027 年開始投產，但若屆時 AI 基礎設施建設開始降溫，而這些新晶圓廠又陸續投產，記憶體價格恐怕難以維持高檔。

歷史經驗顯示，記憶體產業一旦進入下行循環，跌勢往往十分劇烈。

不過，這一輪與過去最大的不同，在於業者手握「照付不議」採購合約，以及客戶支付的數十億美元預付款。

這些機制為記憶體製造商提供了過去景氣循環中所沒有的保障。雖然這些合約有望緩和未來景氣下滑的衝擊，但或無法徹底消除產業循環。

投資研究公司 Pythia Research 指出，儘管記憶體製造商正積極擴充產能，但目前的投資規模仍落後於 AI 帶動的強勁需求，預計 DRAM 與 NAND 至少到 2027 年仍將維持供不應求。

該公司也表示，高頻寬記憶體（HBM）所需的晶圓產能遠高於傳統 DRAM，進一步壓縮了供給，也延後了供給過剩風險浮現的時間。

然而，情勢可能在 2028 年左右出現變化。隨著新一波晶圓廠陸續投產，AI 基礎設施支出可能開始放緩。

屆時，DRAM 與 HBM 供需預料仍將維持相對吃緊，但 NAND 因擴產速度較快、競爭更加激烈，面臨產能過剩的風險將更高。

分析師 Jaden Mealy 則指出，目前真正的問題其實是供給不足，但這主要是因為供應商維持了高度的產能紀律，因為包括 SK 海力士與三星等業者，都展現出相當罕見的克制，避免大舉擴產，以維持獲利能力，同時避免本輪景氣高峰過後出現更劇烈的下行循環。

Mealy 認為，市場真正擔憂的是未來的產能規模。各家業者公布的資本支出計畫都相當龐大，而且普遍建立在 AI 需求將一路成長至 2027 至 2028 年的假設之上，但實際需求可能會有所放緩。

他指出，最終仍取決於市場如何看待 AI 需求的發展，而這也是目前沒有人能夠確定的事。若相信 AI 基礎設施投資將持續維持高檔，那麼目前的產能仍然偏緊，這些投資也具有合理性；但如果市場認為 AI 投資已經過度擴張，那麼記憶體廠商如今的擴產，確實可能讓產業在 2027 至 2028 年迎來懸崖式反轉。