HBM後輪NAND大缺貨？韓媒：三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局

外媒報導指出，三星電子正將超過 60% 的 V-NAND(垂直堆疊 NAND) 產能供應給輝達，用於後者即將鋪量的 AI 伺服器上下文存儲平台 CMX(Context Memory Storage)。單套 CMX 搭載 576 塊 SSD、總容量達 9600TB，專門承接大模型推理時暴增的 KV 快取數據，緩解 GPU HBM 外溢瓶頸。

韓媒《Sedaily》周一 (20 日) 報導指出，業界人士估算 CMX 帶動的 NAND 需求將從 2026 年的 3500 萬 TB，激增至 2027 年的 1 億 TB 以上，三星 2026 年 NAND 總產量約 2.5 億 TB，憑藉月產超 10 萬片晶圓的規模，目標成為輝達 CMX 核心供應商。

產線端，三星 V-NAND 產能結構快速向先進代際傾斜：V9(286 層) 佔比約 60%、良率站穩 80% 以上，進入量產穩定期，V8 佔比壓至 40% 以下，V10(400 層) 上半年已量產，堆疊約 400 層、存儲密度較 V9 提升 50%，可在同體積 CMX 模組內塞入更高容量 SSD，面向 CMX 優化的 V11 已啟動研發，目標最高 500 層，下半年試產規模預計翻倍。

分析指出，AI 伺服器從「拼 GPU 算力」延伸到「拼上下文存儲」，讓 NAND 從週期性商品轉為算力基礎設施一環。

三星綁定輝達 CMX，既消化先進產能，也加劇消費級 SSD 供給收縮與價格上行壓力。隨著 V10/V11 接棒，2027 年後 AI 資料中心 NAND 採購格局將進一步向主要大廠集中。