中國正瞄準SanDisk 但尚未挑戰美光地位

《Benzinga》報導，HBM(高頻寬記憶體) 是為輝達最新 AI 加速器提供動力的專用晶片，未來數年似乎仍將由美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 和三星電子 (Samsung Electronics) 等現有龍頭企業主導。然而，中國在通用型 DRAM 和 NAND 領域正快速取得進展。

Counterpoint Research 分析師 MS Hwang 接表示：「中國廠商在通用型 DRAM 和 NAND 領域正迅速追趕，但 HBM 很難超越。」

他補充道：「我認為中國廠商可以在 2027 年上半年製造出 HBM3。」

2027 年初的 HBM3 並非當前一代產品。屆時，美光、SK 海力士和三星電子預計將已開始滿足 HBM4 的需求，其技術路線圖甚至已指向更遠的未來。

這道護城河恰好只有一代之深。

競爭真正可能發生在哪裡？

通用型記憶體則是另一回事。與 HBM 領域的領先企業不同，SanDisk(SNDK-US) 和 Western Digital(WDC-US) 等傳統 NAND 供應商，似乎更容易受到中國製造商日益激烈的競爭衝擊。

這類產品更加標準化；客戶主要根據價格切換供應商，其進入壁壘主要在於資本，而非技術訣竅——而這恰恰是獲得國家支持的新進業者最擅長突破的壁壘。

這正是中國供應所瞄準的表層市場——也是當前市場上定價最為極端的領域。

中國在記憶體晶片領域的雄心今日邁出重要一步，中國國內最大的 DRAM 製造商長鑫存儲 (CXMT) 在上海完成了 86 億美元 IPO。

首日股價飆升 466%，顯示投資者對北京打造全球領先記憶體晶片巨頭的努力充滿信心。

中國想從記憶體 4 倍漲幅中分杯羹

Hwang 表示，過去一年記憶體價格幾乎上漲了 4 倍，其中大部分漲幅集中在最近 6 個月。

他還指出，供應緊張的壓力已從資料中心轉移開來。「關鍵瓶頸在於智慧型手機、PC、遊戲和家用電器等消費性領域。」

他補充道，「DRAM 和 NAND 的情況類似，而 DRAM 的供應狀況似乎更為緊張。」

因此，承受最劇烈價格上漲的細分市場，也正是中國產能正在進入的領域。

一個價格達到去年 4 倍水準的市場，是一個龐大的目標。

儘管獲利創下歷史新高，但大多數記憶體公司目前的遠期本益比仍低於 10 倍。

據 Hwang 表示，投資人仍持懷疑態度，因為該產業的經濟模式並未發生根本性改變。「這類商品化產品本質上需要以競爭方式投入巨額資本。」

只要製造商繼續主要依靠生產規模和價格展開競爭，而非在產業自律方面進行結構性變革，投資人就不太可能給予類似軟體公司的估值倍數。

這或許解釋了為何人工智慧 (AI) 在記憶體領域催生了兩個截然不同的投資故事。

涉足 HBM 的公司持續受益於中國競爭對手難以輕易突破的技術壁壘。

與此同時，更依賴大宗商品型 DRAM 和 NAND 業務的企業，可能隨著中國製造商擴大產能而面臨日益加劇的競爭壓力。

對投資人而言，下一個問題可能不再是記憶體是否仍具吸引力，而是他們究竟持有哪一類記憶體業務。