鉅亨網編譯陳韋廷
長鑫科技科創板瘋漲 466% 登頂 A 股 全球儲存巨頭集體「雪崩」 鎧俠單日重挫 18%、SK 海力士 ADR 破發
在中國 DRAM 龍頭長鑫科技登陸上交所科創板首日暴漲 465.82%,總市值上 3.28 兆人民幣創 A 股歷史紀錄後,全球記憶體晶片市場正遭遇「分水嶺式」震盪,美股、韓股、日股記憶體巨頭在周一 (27 日)、周二(28 日) 集體跳水,市場從「AI 記憶體超級週期」的狂熱中驟然清醒。
日本記憶體巨頭鎧俠周二再度重挫,早盤股價暴跌 18%,若該跌幅維持至收盤,將是 7 月內第六次單日跌幅超 10%,SK 海力士周二早盤亦崩一成,本月第 4 次出現 10% 以上的單日跌幅。
周一美股盤中,記憶體類股成為大盤最大拖累。閃迪 (SanDisk) 收跌 11.02%,較 6 月歷史高點累跌 47%,一個月內市值蒸發約 1700 億美元;SK 海力士 ADR 一度跌 10% 至 139.01 美元,跌破 7 月 9 日 149 美元發行價,終場收 143.02 美元,上市不足三週即破發;美光跌 2.25%,西部數據、希捷跌超 4%。費半指數收跌 2.2%,遠遜標普 500 與那斯達克的微跌表現。
市場恐慌情緒蔓延至周二亞洲市場。台灣時間 9 點 14 分,南韓綜合股指 (KOSPI) 暴跌超過 8%,觸發熔斷機制,交易暫停 20 分鐘,這是韓股今年來第八次觸發熔斷機制。個股方面,SK 海力士跌近 11%,三星電子跌超 9%。
長鑫科技長周二亦開低 7.71% 至每股人民幣 45.22 元,市值 3.02 兆元。2016 年成立的長鑫科技是中國唯一大規模量產 DRAM 的 IDM 企業。
根據 Counterpoint 數據顯示,長鑫全球 DRAM 收入份額由 2025 年 Q1 約 3% 躍升至 2026 年 Q1 的 8%,排名第四,前三名依序是三星 (38%)、SK 海力士 (29%)、美光 (22%)。
市場認為,美日韓記憶體股跌成一片的導火線是長鑫 IPO 募資約 579 億元人民幣後,將擴大產能與研發,市場重估「三巨頭」長期定價權,深層則是周期魔咒。
今年上半年全球 DRAM 價格累計漲超 2 倍,閃迪半年漲 764% 成標普最強,估值透支後任何供給格局訊號都觸發踩踏,加上蘋果傳出打算採購長鑫晶片替代美光 / 閃迪、韓券商下調海力士財測目標、美韓反壟斷訴訟、華強北記憶體降價等利空,投資人集中獲利出場。
多數機構認為,HBM 護城河 2 到 3 年內難破,AI 記憶體需求仍是主線,閃迪腰斬、海力士破發、美光回撤 32% 提供佈局機會。
但摩根士丹利警告,記憶體終究是周期品,通用 DRAM 利潤率將受中國擴產侵蝕。
高盛則指出,無論長鑫進度如何,北方華創、中微、盛美上海等國產設備商為確定性受益方。
這場暴跌本質是「AI 成長敘事」與「半導體週期屬性」的賽局。長鑫 IPO 不是業績衝擊,而是心理分水嶺,全球 DRAM 從「三強定價」走向「四極博弈」,但 HBM 王座短期仍歸三巨頭。
專家認為,當前盤勢是週期性回吐,還是競爭格局的永久位移,則端視長鑫科技 2026—2027 年 HBM3/E 能否量產的那張良率報表。
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