TechInsights Q2 DRAM市場報告：AI重塑定價與供需 HBM躍居產業新主角

TechInsights 發布最新 2026 年第二季 DRAM 市場報告，這份共 129 頁的報告核心主題是 AI 驅動的資料中心建設正在徹底重塑 DRAM 市場的定價、利潤率和供需格局。

DRAM 產業正經歷從「週期性大宗商品」向「AI 時代戰略物資」的改革，三大廠商在三年內創造 1.7 萬億美元運營利潤，HBM 從配角變為主角，消費端被擠出產能分配，物理 AI 是下一個未被定價的變量。供需緊張是結構性的，不是週期性的。

DRAM 市場正處於歷史性重構中

AI 驅動的資料中心建設，正在從根本上重塑 DRAM 市場的定價、利潤率和資源配置。三個核心力量同時碰撞，共同驅動了這一輪前所未有的週期：

需求端： Agentic AI（代理式 AI）帶來伺服器 CPU 數量的結構性增長，進而拉動 DDR5／LPDDR5 需求。

供給端： 長期供貨協議（LTA）正在改變客戶採購方式，削弱了傳統週期的價格發現機制，行業運營利潤率預計穩定在 60%～65%，遠高於上一輪週期平均的 34%。

財務端： 三星、SK 海力士、美光三巨頭在 2026～2028 年間合計將產生約 1.7 萬億美元 DRAM 運營利潤和 1.3 萬億美元自由現金流——僅 2026 年一年的自由現金流（約 3,000 億美元），就比三家公司過去十年累計 DRAM 自由現金流還多 65%。

史上最長供不應求

DRAM 市場正經歷其 50 多年歷史上最持久、最顯著的供不應求。價格將在未來約兩年內持續攀升。2026 年 Q2 單季營收預計接近 2025 年全年營收。

智慧手機端 DRAM 成本將飆升至歷史高位，直接推高終端售價。

長期趨勢來看，供應商透過長期協議用「適度的年度價格下調」換取「需求確定性」，毛利率和運營利潤率將在 2027 年見頂後溫和回落，但中樞已結構性抬升。

HBM 成整張牌桌支點

HBM 是當前市場最核心的變量。HBM 與普通 DRAM 的 ASP 目前大致持平——這對一個製造成本高 3 倍的產品來說極不正常。報告預計 2027 年 HBM 定價將顯著上行，HBM／非 HBM ASP 比率到 2027 年 Q4 達到 2.0 倍，2031 年達到 3.5 倍。

HBM 的「位替換」代價： HBM3E 的 die 面積比同節點 DDR5 大 83%；HBM4／HBM5 每生產 1 單位 HBM 所消耗的晶圓，相當於 4 單位普通 DRAM。

HBM 在輝達 GPU BOM 中的占比急劇攀升： 以 Rubin Ultra 配備 1TB HBM 計算，單卡 HBM 成本高達 23,826 美元，占總 BOM 的 77%（對比 Blackwell 時代 HBM 成本約 2,524 美元，占比 37%）。

堆疊技術路線： SK 海力士繼續走 MR-MUF 路線，三星和 Micron 走 TC-NCF 路線，三者均計劃在 HBM5（約 2028 年）轉向混合鍵合（Hybrid Bonding）。

2026 年 HBM 關鍵數據： HBM 年產能（年底）約 75.5 萬片／月（對應 29% 的行業總產能），HBM 供需充足率僅 2%（極度緊缺）。SK 海力士仍是最大 HBM 供應商，市占率持續領先至 2027 年。

代理式 AI 改變算力配比

代理式 AI 不是取代單次推理，而是在其外面包裹了 CPU 密集型的「編排循環」——任務被分解、調用工具、迭代驗證，直到目標達成。這使得 CPU 與 GPU 的配比從 1：4 向 1：1 靠攏。

每個新增的 CPU 插槽都需要 DDR5 或 LPDDR5 來運行，因此主流 DRAM 的需求將隨 Agentic AI 的普及而同步攀升，增速向 HBM 靠攏。

在 AI 加速器層面，推理已取代訓練成為主導工作負載；輝達的 GPU 仍是主力，但客製化 ASIC 也在同步增長。

終端市場三分天下

資料中心： 到 2026 年將占 DRAM 總位元需求的約 50%。美國超大規模雲端業者占了約 60% 的 DRAM 採購額，峰值可能達到 70%，在 HBM 領域更是絕對主導。

消費端（PC／手機）： 2026 年因無法與資料中心爭奪產能分配，位元需求增速驟降至 3%，被「供應飢渴」所困。等到 2029 年供給鬆動、價格回落，將反彈至 18%。

物理 AI（自動駕駛／機器人）： 增長極快（汽車 DRAM 2024～2031 年 CAGR 達 35.5%），但目前體量尚小，大部分需求落在 5 年預測窗口之外，是明確的上行風險。

CXL 與 DRAM 復用

CXL（Compute Express Link）正在資料中心創造一個新的 DRAM「復用」層級。超大規模雲端業者自 2025 年開始，透過 CXL 插槽部署可重複利用的 DDR4。預計到 2030 年，CXL 相關 DRAM 將占伺服器 DRAM 需求約 16%，但長期前景仍存在不確定性。

復用模式本質上是在利用既有 DRAM 滿足新增需求，因此對新增產能的帶動效果相對有限。

技術路線演進

DRAM： DDR5 已於 2024 年第二季超越 DDR4 成為主流，DDR6 預計於 2030 年第三季接棒。LPDDR6 將於 2026 年導入，但直到 2029 年才會成為市場主流。GDDR7 已進入量產，預計 2026 年中市場占比將超過 50%。2026 年第二季，1b 奈米製程節點占 DRAM 總位元產出的 43.5%，為目前主流製程。

EUV 微影： 到 2031 年，DRAM 總微影製程步驟將增加一倍，其中 EUV 微影步驟預計成長約 13 倍。

3D DRAM： 預計 2031 年後進入大規模量產階段。

供應商格局

三星： 2026 年第一季憑藉平均銷售價格大漲 93%，維持營收龍頭地位。HBM 產能擴張積極，2028 年 HBM 產能目標為每月 34.3 萬片晶圓。

SK 海力士： 在 HBM 市場維持絕對領先，2028 年 HBM 產能目標為每月 40.5 萬片晶圓，HBM 占總產能比重達 23%，為三大廠中最高。

美光： 2028 年 HBM 產能目標為每月 20.2 萬片晶圓，雖落後於南韓兩大競爭對手，但仍持續積極追趕。

長鑫存儲： 為中國 DRAM 主要供應商，晶圓產能占比預計將由 2025 年的 9% 提升至 2031 年的 22%。不過，受設備出口限制影響，先進製程推進受阻，每片晶圓的有效位元產出僅為全球領先業者的 60%-65%。

三大上行風險

若代理式 AI 普及速度快於預期，由 CPU 帶動的 DRAM 需求將進一步超出市場預期。

此外，物理 AI（包括人形機器人與自動駕駛）目前尚未充分納入需求模型。一旦複製生成式 AI 的成長曲線，將為 DRAM 市場帶來顯著新增需求。

另一方面，FP8 精度的普及可使運算速度提升一倍，但有效頻寬僅同步增加一倍，使整體系統由「接近平衡」轉為「明顯受記憶體頻寬限制」。這將進一步推升市場對高頻寬 DRAM（HBM）的需求。