鉅亨網編譯陳韋廷
南韓記憶體巨頭 SK 海力士周二 (4 日) 宣布，與美國 NAND 大廠閃迪 (SanDisk) 聯合發布下一代記憶體技術「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash, HBF)首套標準規範，正式為 AI 與高效能運算建立全新的儲存層級。
HBF 定位於 HBM 與固態硬碟 (SSD) 之間，兼具 HBM 等級的高速傳輸能力與 NAND 架構的大容量優勢，被視為解決 AI 訓練與推理過程中「記憶體牆」問題的關鍵技術之一。
此次規範發布是雙方自去年 8 月啟動合作、今年 2 月正式成立 HBF 聯盟後，歷時約 6 個月推出的首項成果。
根據規範，HBF 將提供兩種物理配置：採用 8 層與 16 層 NAND 晶片堆疊，最高容量可達 512GB。
效能方面，標準以三個等級 (Grade 1 至 Grade 3) 定義頻寬，資料傳輸速率覆蓋約 0.4TB/s 至 3.0TB/s，足以滿足從邊緣 AI 到大型資料中心的多元需求。
業界分析指出，隨著 AI 模型參數量激增，現有 DRAM 與 HBM 在容量與成本上面臨瓶頸，HBF 透過 NAND 實現低成本、高密度儲存，同時保有接近記憶體的存取速度，有望重塑伺服器儲存架構。
SK 海力士與閃迪亦呼籲更多供應鏈夥伴加入聯盟，加速生態系成形。
市場認為，HBF 標準落地將進一步鞏固 SK 海力士在 AI 儲存領域的技術話語權，並為閃迪在企業級 NAND 市場開拓新戰場。
隨著規範底定，首批 HBF 樣品預計於 2027 年上半年問世，2027 年起逐步導入主流 AI 伺服器。
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