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摩根士丹利最新發布的記憶體產業研究報告指出，記憶體產業今年以來經歷的大幅修正已接近尾聲，市場焦點將逐步由價格循環轉向資本回饋，包括股票回購、自由現金流及長期供貨協議 (LTA) 等因素，有望成為下一波推升股價的重要催化劑。被喻為「空頭」代言人的分析師 Shawn Kim 認為，目前估值已提供具吸引力的戰術性進場時機，近期修正僅是 AI 超級循環中的一段正常波動。
報告指出，摩根士丹利早在 7 月初便提醒，記憶體股因 DRAM 價格漲勢即將放緩，以及市場持倉過度集中，可能出現短期回調。此後雖然市場對 AI 資本支出及 AI 需求仍維持樂觀，但也開始注意到 4Q26 起 DRAM 價格增幅趨緩、庫存逐步回升及新增供給增加等現象，使市場對後續獲利驚喜有所保留。不過，分析師認為，經過近期修正後，記憶體股估值已明顯改善，未來資本回報政策可望加速。
摩根士丹利表示，AI 帶動的需求與傳統記憶體景氣循環並不衝突。雖然 DRAM 價格同比增速可能已見高點，但此次 AI 建置周期規模遠超歷史，價格年增幅一度高達 700%，約為歷史高峰的 7 倍。DRAM 已成為 AI 基礎建設的重要瓶頸之一，但目前市場對相關個股僅給予約 3 倍未來 12 個月本益比 (NTM P/E)，幾乎沒有反映長期成長溢價。報告認為，若投資人開始相信 AI 將延長產業獲利周期，估值倍數仍有擴張空間。
針對個別企業，摩根士丹利維持三星電子 (Samsung Electronics) 及 SK 海力士 (SK hynix) 目標價不變，但調整獲利預估。其中，SK 海力士 2026 年每股盈餘 (EPS) 預估上調 13%，反映第二季資產處分收益；三星電子則因消費性電子業務疲弱，2026 年 EPS 預估下修 10%，2027 年至 2028 年預測則僅小幅調整。
報告認為，記憶體產業將自 2026 年第四季進入周期後段，未來企業將更重視資本回饋、長期供貨協議 (LTA)、穩定獲利能力及自由現金流表現，而非依賴價格快速上漲帶來的營運槓桿。近期獲利預估修正幅度已明顯降溫，顯示最悲觀時期可能已經過去。
產業調查顯示，3Q26 DRAM 合約價格於初期交易約季增 15%，略低於摩根士丹利原先預估的 20%；3Q26 NAND 價格則約季增 20%。隨著 4Q26 價格漲幅趨緩，客戶提前備貨意願有所下降，但更多產能預料將由消費性產品轉向企業級 SSD(eSSD)，配合 AI 伺服器需求持續成長，可望消化新增供給。
報告進一步指出，目前市場已充分反映未來 12 個月 EPS 成長放緩風險，但 AI 帶動的需求更可能屬於結構性改變，而非單純周期循環。因此，以過去周期股的估值方式評價記憶體產業，未必仍然適用；未來若企業積極提高股東回報，將有助市場重新評價整體產業。
摩根士丹利最後維持長線樂觀看法，認為 AI 資本支出、Agentic AI 快速發展，以及三星電子與 SK 海力士 2027 年獲利可望成長 25% 至 50%，均將支撐產業基本面。報告估計，兩家公司目標價相較目前股價仍隱含超過 60% 的上行空間。短期而言，7 月大幅平倉後，市場追價資金已重新回流，預料仍將偏好 AI 資本支出受惠最大的 DRAM 及利基型記憶體，包括 DDR4 與 SLC NAND，而非記憶體模組廠商。
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