印能出貨量維持高檔 Q2獲利倍增、EPS 14.04元

半導體設備廠印能科技(7734-TW)今(12)日公佈第二季財報，受惠生成式AI與HPC需求持續升溫，晶圓代工及一線封測大廠加速擴建先進封裝產線，帶動高壓真空除泡、翹曲抑制等高階製程設備出貨、進機及驗收進度加快，推升第二季歸屬母公司淨利達3.89億元，年增142.41%，每股稅後純益14.04元。

印能第二季營收9.13億元，年增48.32%，毛利率67.31%，年增1.75個百分點，營益率53.5%，年減1.25個百分點，歸屬母公司淨利達3.89億元，年增142.41%，每股稅後純益14.04元。

印能上半年營收17.9億元，年增63.09%，毛利率66.31%，年減2.03個百分點，營益率53.25%，年減1.65個百分點，歸屬母公司淨利達7.97億元，年增106.04%，每股稅後盈餘 28.72元。

印能表示，7月延續第二季強勁成長動能，單月營收達4.09億元，創下歷史新高，月增77.8%，年增62.33%，前7月累計營收21.99億元，年增62.94%。各產品線中，主要成長動能來自第二代VTS製程除泡系統。隨著CoWoS、Chiplet及大尺寸AI晶片封裝需求持續擴大，封裝面積與晶粒數量同步增加，底部填膠製程中的氣泡與空洞控制難度提高，帶動VTS設備出貨量維持高檔。

次世代面板級先進封裝方面，CoPoS於今年進入設備與材料驗證的關鍵階段，配合客戶CoPoS及面板級先進封裝驗證需求，印能將高階WSAS翹曲抑制模組與既有製程平台整合導入。WSAS可透過加壓與真空進行精準控制，可依客戶需求，在製程中即時進行翹曲控制，或於製程完成後執行整平處理，有助降低翹曲造成的製程損失，提升大尺寸封裝的量產穩定性與良率。

在次世代光電整合架構方面，隨著AI系統對高速傳輸、低延遲及低功耗的需求持續提高，晶圓代工大廠積極推動COUPE矽光子整合平台及共同封裝光學(CPO)架構。當運算晶片、光學元件與高密度互連結構整合於同一封裝，晶粒間距與凸塊間距持續縮小，傳統清潔製程更難深入封裝結構內部，使助焊劑殘留、氣泡及空洞控制成為影響接合可靠度與量產良率的重要課題。

印能第四代EvoRTS真空高壓高溫系統，將助焊劑殘留控制與空洞消除整合於單一製程平台，透過真空、高壓與熱流條件的協同控制，結合溶解、擴散及擾動機制，處理高密度封裝結構中的殘留物與微小氣泡。相較傳統分站式製程，EvoRTS有助客戶精簡助焊劑清洗、烘乾及電漿清洗等製程站點，縮短生產時間、降低設備與人力投入，並朝低殘留、低空洞及高可靠度接合目標邁進。

展望後市，隨CoWoS與Chiplet產能持續擴張，加上CoPoS設備驗證及CPO矽光子封裝逐步推進，印能將持續聚焦氣泡、翹曲、殘留與散熱等AI先進封裝良率瓶頸，可望推動WSAS及EvoRTS等高階設備接續成長。