DRAM也要從平面走向3D？三星、SK海力士搶先布局，下一波設備需求浮現

2026年09月16日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 過去DRAM提升容量，主要依靠不斷縮小製程，把更多記憶體單元塞進相同面積的晶片。但隨著尺寸愈做愈小，製造難度與成本快速提高，單純依靠平面微縮延續成長的空間也愈來愈有限。

因此，三星電子Samsung Electronics(005930-KR)、SK海力士SK Hynix(000660-KR)與美光Micron Technology(MU-US)都開始研究另一條路：與其繼續把DRAM做得更小，不如開始往上堆。

這就是3D DRAM受到關注的原因。

AMD(AMD-US)近期揭露了一項3D DRAM實驗架構，透過混合鍵合技術縮短記憶體與處理器之間的距離，相較傳統HBM堆疊，能效最高可提升17倍。

這對AI晶片尤其重要。AI運算需要在處理器與記憶體之間頻繁搬移大量資料，而資料搬得愈遠，消耗的電力就愈多。如果未來能把DRAM更直接地堆疊在處理器上方，就有機會同時提高資料傳輸效率並降低功耗。

三星與SK海力士也已提前布局。

三星正在開發垂直DRAM結構，並已在內部實現16層3D DRAM堆疊，希望未來將記憶體與周邊電路分開製造後，再透過混合鍵合整合。

SK海力士同樣把3D DRAM列為10奈米級以下DRAM的重要發展方向，並已投入相關工程人才與技術研發。美光則更早從專利布局切入，截至2022年8月已累積超過30項3D DRAM相關專利。

兩大記憶體廠同步投入的背後，反映DRAM產業的競爭方式可能正在改變。

過去業者主要比拚誰能把製程做得更小，未來則可能進一步比較誰能把DRAM堆得更高，同時維持良率、散熱與功耗表現。這也代表記憶體製造設備的需求結構可能跟著改變。

當DRAM開始往垂直方向發展，晶片內部需要處理的深層結構增加，如何精準挖出更深、更複雜的結構，以及如何把不同晶圓平整地堆疊並連接，重要性都會提高。

因此，除了曝光設備之外，蝕刻、薄膜沉積、晶圓研磨與混合鍵合等設備的重要性可能逐步上升。

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