中國記憶體追得比想像快？南韓最新評估曝光，技術差距大幅縮小

2026年09月16日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 中國記憶體產業過去與南韓領先業者存在明顯技術差距，但隨著長江存儲(YMTC)與長鑫存儲(CXMT)持續推進製程與擴充產能，差距正在快速縮小。根據南韓半導體產業協會的評估，目前中國在NAND快閃記憶體與南韓的技術差距約剩1年，DRAM約2年，技術門檻最高的HBM則約3年，相較過去約5年的差距已明顯收斂。

其中，NAND追趕速度最快。三星電子Samsung Electronics(005930-KR)與SK海力士SK Hynix(000660-KR)自2025年開始量產300層NAND，長江存儲同期則量產270層產品。按照目前規劃，長江存儲2027年將進一步推進至400層，使技術差距縮短至約1年。

DRAM方面，三星電子與SK海力士2023年開始量產DDR5，長鑫存儲則於2025年跟進，約存在2年差距。不過，長鑫存儲已開始量產LPDDR5X，並啟動LPDDR6生產，顯示中國記憶體業者正持續往更高階DRAM產品推進。

真正難度較高的仍是HBM。

長鑫存儲目前與南韓HBM技術約有3年差距，並已啟動HBM3E模組試產，但良率目前僅約25%，TSV矽穿孔等先進封裝製程仍是量產瓶頸，距離大規模商業化及穩定供貨仍有技術障礙。

值得注意的是，中國業者也試圖透過不同技術路線降低先進製程設備限制。長鑫存儲採用長江存儲X-Stacking相關技術，在G4製程上建構HBM3E堆疊，並導入銅對銅混合鍵合，直接連接晶圓之間的銅互連，以縮短DRAM堆疊層之間的電路路徑。

這項技術路線有機會讓中國記憶體業者降低對EUV曝光機的依賴，透過製程、先進封裝及系統架構創新，繞開部分先進設備取得限制。

除了技術追趕，中國記憶體產業更值得關注的是產能快速擴張。

長鑫存儲正朝每月300,000片晶圓產能擴張，並規劃2026年底具備每月50,000片HBM專用產能。此外，公司正在上海及合肥興建新廠，完工後總產能規劃進一步提高至每月600,000片。

長江存儲同樣積極擴產，原文預估其產能將於2027年初達每月300,000片，兩座新廠於2027年投產後，2028年總產能可能進一步提高至每月450,000至500,000片。

因此，中國記憶體產業正從技術追趕進一步擴大至產能競爭。NAND目前與南韓的技術差距最小，DRAM也持續追趕；HBM雖仍面臨良率與先進封裝瓶頸，但隨著長鑫存儲投入專用產能，中國業者也開始加速布局AI記憶體市場。

製程方面，長鑫存儲也正在G4 DRAM與LPDDR5X導入HKMG高介電常數金屬閘極技術，以氧化鉿(HfO₂)等高介電材料降低漏電與功耗，並為更高運作頻率鋪路。公司下一代15nm G5 DRAM製程已進入開發階段。

對全球記憶體產業而言，後續觀察重點不只是中國與南韓還相差幾年，而是中國新增產能何時真正轉化為具有成本競爭力的合格產品。尤其NAND與DRAM若在技術差距縮小的同時大量開出新產能，供給增加對全球記憶體價格與三星電子、SK海力士、美光Micron Technology(MU-US)產能策略的影響，將成為下一階段更值得追蹤的產業變數。

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