三星高層：明年HBM將佔DRAM全球產能近30% 傳統DRAM供應承壓

AI需求推動存儲廠商加碼HBM，傳統DRAM供應承壓。三星高層預計明年HBM將佔全球DRAM晶圓總產能近三成，市場研究機構同時上調2027年HBM價格預期。

三星電子執行副總裁Kim Taewoo 29日（周二）表示，預計明年HBM將佔DRAM廠商晶圓總產能近30%，目前約20%。

Kim Taewoo稱，HBM與傳統DRAM爭奪同一批晶圓產能，擴大HBM產出可能擠壓傳統DRAM供應。

三星已在加快HBM布局。三星已於今年2月開始量產出貨HBM4，5月向輝達(NVDA-US) 等客戶提供12層HBM4E樣品。

半導體市場研究機構TrendForce 29日表示，AI伺服器需求持續，HBM與通用DRAM仍會分享有限先進製程產能，2027年記憶體供應維持偏緊。

TrendForce上修2027年HBM價格預期，預計混合平均售價將上漲121%，主要考慮供應持續受限、高價HBM4比重提升，以及HBM4E在2027年下半年逐步放量。

TrendForce指出，受HBM供應有限和系統成本快速上升影響，GPU和ASIC廠商正考慮降低單顆晶片的HBM搭載容量，單個堆棧成本更低的8層HBM預計將成為2027年多家廠商優先評估方案。

由於每個HBM堆棧都需要一顆基礎裸片，其成本不會隨DRAM層數減少而等比下降，TrendForce預計2027年8層HBM每Gb的售價將比12層產品高約10%至20%。