美中半導體設備攻防長期化！美智庫稱中國囤343台DUV、日媒指陸廠靠ASML設備庫存爭取時間

外媒最新報導指出，中國大陸半導體製造企業在美國與荷蘭出口管制下，仍以個案審批、既有庫存與國產研發「兩條腿走路」推進光刻能力。

綜合美國智庫報告、《南華早報》及《日經亞洲》相關報導，外界估算中國目前取得的浸沒式深紫外(DUV)光刻機合計約343台，其中約270台為艾司摩爾(ASML)Twinscan NXT:1980i，這批設備雖非極紫外(EUV)，但配合多重曝光已可支撐7奈米邏輯、先進記憶體與AI加速器量產，並為中國國產整機研發爭取緩衝期。

根據華府智庫「技術與中國國家安全中心」(CTS)報告，截至今年初，中國晶圓廠透過管制缺口取得共343台浸沒式DUV，其中艾司摩爾 NXT:1980i約270台。

2024年，中國花費超過130億美元採購90台NXT:1980i，2025年再增購89台，其餘為更早取得或其他合規型號。荷蘭自2019年起應美國要求禁售EUV，但NXT:1980i等較先進浸沒式機型初期仍得以個案審批出口；CTS認為，這是中國得以持續擴充中高階產能的關鍵。

浸沒式DUV在鏡頭與晶圓間注水提升折射率，解析度低於EUV但高於乾式DUV；透過多重曝光重疊線路層，可用於7奈米級邏輯、高階NAND/DRAM及AI晶片。

報告指出，華為昇騰等加速器即依此路線量產。CTS預測，若中國每年維持引進90台NXT:1980i，至2035年年產輝達H100等級AI晶片可達4.34億顆。若自2027年起全面切斷新機進口，同等級產能將降至約1.53億顆。

美國商務部出口管制官員Nicholas Brown與白宮前技術政策顧問Saif Khan因此在報告中呼籲，對浸沒式DUV、低溫蝕刻等一併實施全面封鎖。

美國國會今年4月提出《MATCH法案》，要求荷蘭、日本等盟國150天內擴大對中國設備限制，範圍由EUV延伸至先進DUV與部分蝕刻、量測設備。報告顯示，華府正把管制重心由「禁止最先進」轉向「堵中國先進」。

《日經亞洲》亦報導指出，中國企業確實全力投入國產光刻，但短期仍須依賴ASML成熟機台。光刻機並非單一零件，而是光源、物鏡、工件台、浸潤、計算光刻與控制軟體的系統工程。193奈米浸沒式需ArF光源、高精度投影物鏡、雙工件台與水膜穩定；EUV更涉及13.5奈米雷射等離子光源、真空反射鏡組與極複雜計算光刻。

國際半導體微影技術與計算光學領域享譽盛名的Andreas Erdmann曾說，機械、電子、化學、數學與計算必須協同，才有機會讓整機穩定運行，這也是全球僅ASML、尼康、佳能具整機能力的原因。

ASML優勢在整合全球頂級供應鏈，而尼康、佳能較多自研自產，卻未完全接軌國際分工，先進度被拉開。

中國早期乾式DUV最高約90奈米，而2024年工信部公告新型乾式DUV，鏡頭解析度達65奈米，今年王陽元、陳南翔等產業報告則指出，中國國產浸沒式DUV已完成研發並進入測試；另有外媒稱中國在政府支持下自行組裝DUV系統，去年底曾傳EUV原型機，引發全球晶片股波動，但相關進度尚未獲獨立量產驗證。

日本專家指出，既有的ASML庫存讓中國晶圓廠維持產能與現金流，同時在光源、物鏡、工件台、計算光刻各子系統分頭攻關；「能造整機」與「可替代ASML量產」是兩回事，良率、產能、穩定運行與軟體生態仍需年限。

ASML財報曾顯示中國一度佔其營收約41%，隨著管制收緊，公司預期2026年中國佔比降至約兩成。

中國策略是合規採購DUV保產能、自研整機保長期：先以NXT:1980i與其他浸沒機支援7奈米與儲存擴產，再以國產乾式、浸沒式逐步切入成熟與中階先進線。

除光刻機外，美國分析師稱中國在蝕刻、沉積、清洗、量測等大多設備領域進步明顯。中微、北方華創、盛美、拓荆、華海清科、中科飛測等已進入部分產線；日本設備業者擔心，若中國光刻突破，材料、沉積、量測將連帶國產化，衝擊東京電子、Screen等出口。

南韓媒體亦報導指出，三星、SK海力士因美國限制其在中國的合資廠採購先進設備，已評估採用中微等中國蝕刻與部分製程設備，顯示替代由「非光刻」向更廣設備圈擴散。

整體來看，343台浸沒式DUV與持續採購，使中國在中長期AI晶片、7奈米邏輯與先進儲存上具中端自主能力；若美國推動DUV全面封鎖，2027年後新增產能將受抑，但存量機台、多重曝光與國產機試製可維持基本盤。中國國產光刻機的變數不在理論路線，而在整機穩定性、產出吞吐量、缺陷密度與供應鏈協同。

分析人士認為，美國出口管制短期拖慢中國先進化，長期卻把中國市場讓給本土設備商，加速全鏈替代；若中國國產浸沒式量產、EUV原型轉商用，ASML壟斷溢價與全球晶片定價邏輯都可能重估。半導體設備競爭正由「賣機台」轉為「系統整合與產能自主」的持久戰。