鉅亨網編譯莊閔棻
中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 傳出拒絕蘋果(AAPL-US) 及台灣伺服器製造商的記憶體訂單,儘管海外客戶願意透過長期合約爭取供貨,長鑫仍未因此讓步。半導體業界人士指出,長鑫的策略並非單純受限於產能,而是為了優先滿足中國本土客戶需求,力拚實現中國記憶體產業自主。
根據《Wccftech》報導,相較於非記憶體供應商為爭取蘋果訂單,不惜提供優惠價格並簽訂長期合約,長鑫在DRAM業務上卻不願做出任何讓步。
據報導,蘋果曾向長鑫詢價,希望取得比美光科技(MU-US) 、三星電子(005930KS) 及SK海力士(000660KS) 更便宜的記憶體供應,但長鑫並未接受。
此外,台灣一家伺服器製造商傳也曾向長鑫詢問DDR5晶片供貨,同樣遭到拒絕。該公司副總裁當時並不確定,長鑫的決定是否受到中國政府施壓、政策限制或其他因素影響。
報導分析指出,長鑫拒絕海外訂單的關鍵,可能在於優先滿足中國本土市場需求。
長鑫已開始向小米(01810-HK) 等本土合作夥伴供應LPDDR6 DRAM,供其自研的XRING 03使用,展現出足以與三星、SK海力士及美光正面競爭的實力,而目前唯一的瓶頸在於滿足市場需求。
半導體產業觀察人士、前Microdrive Technology總經理Wu Chin-jung指出,長鑫之所以採取如此強硬的立場,源於一項宏大的計畫,也就是讓中國實現DRAM自主供應。由於這項計畫要求優先滿足中國客戶的需求,長鑫不得不拒絕蘋果等國際巨頭的詢價。
與此同時,亞太研究機構Yole的黃茂源則認為,長鑫光是滿足中國國內客戶的需求,就已面臨艱鉅挑戰,相關目標甚至可能需要十年才能實現。
不過,一但能達成,中國企業如華為、小米未來便有機會降低對三星及SK海力士記憶體產品的依賴。
據估計,長鑫將在一年內把DRAM月產能增加10萬片晶圓,但其仍面臨高頻寬記憶體(HBM)研發這一最大障礙。
長鑫不僅在HBM領域起步較晚,美國出口管制也使其無法取得EUV等先進設備。這類設備有助於維持製程良率,並降低先進封裝面臨的挑戰。
事實上,據報導,長鑫因良率極差,已將HBM供應量削減25%。
分析指出,目前,長鑫的HBM技術據稱仍落後三星、SK海力士及美光兩個世代,追趕難度不低。在此情況下,長鑫現階段仍須優先解決本土DRAM供應問題,再逐步縮小與國際競爭對手的技術差距。
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