韓媒：三星電子與SK海力士2027年第二季量產8層HBM4供應輝達

外媒最新報導指出，三星電子、SK海力打算在2027年第2季實現八層堆疊(8Hi)HBM4記憶體堆疊的全面量產並向輝達出貨。 

《ZDNET Korea》 週一(26日)報導指出，南韓兩大DRAM製造商三星電子、SK 海力士目前產出的HBM4記憶體主要為容量更大的 12層堆疊(Hi)版本，但也意味單一堆棧中包含更多DRAM Die，同等頻寬成本更高、堆疊更少，且堆疊更高也意味著良率的下滑。

輝達在今年第3季就8Hi HBM 供應事宜同兩大原廠進行了認真討論，這項計畫變更主要因為輝達考慮在Rubin Ultra和標準Rubin中應用8Hi HBM4(E)，以改善整體供應鏈。

輝達已將HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8規格調整為系統合計2TB HBM4，對應著8Hi 32GB的HBM4堆疊。

目前，HBM4供應仍處於爬坡階段，三星、SK海力士的良率與產能直接限制Vera Rubin平台的交付節奏。