記憶體漲價潮恐延續至2028年！TrendForce估HBM明年營收破2000億美元

全球記憶體市場供需失衡情況可能持續擴大，價格上漲周期也有望比市場預期更長。TrendForce專家指出，伺服器需求強勁，加上產能擴張受限，DRAM價格可能一路上漲至2028年上半年；高頻寬記憶體（HBM）則受惠於需求成長與產品升級，預估2027年產業營收將突破2,000億美元。

根據TrendForce於高盛10月27日舉辦的記憶體產業專家線上研討會中提出的預測，2027年HBM混合平均售價（ASP）將年增122%，達到每Gb 3.7美元，帶動產業營收年增逾230%。

同時，記憶體供給短期內難以有效增加，潔淨室空間不足及半導體設備交貨期過長，將持續限制產能擴張。

DRAM漲價周期延長 HBM4占明年產業營收近六成

TrendForce預期，未來數季伺服器需求將持續支撐DRAM價格，即使消費性市場需求疲弱，仍難以抵銷供給受限帶來的漲價壓力，DRAM價格上行趨勢可能延續至2028年上半年。

長期供貨協議（LTA）預計涵蓋2027年DRAM交易量的60%至70%，可能使整體價格漲幅趨於溫和。不過，超出協議約定數量的額外需求，仍可能透過協商以更高價格成交，因此市場整體定價仍偏向上行。

HBM方面，TrendForce預估，2027年混合平均售價將年增122%，達每Gb 3.7美元，帶動產業營收年增逾230%，突破2,000億美元。

不同產品之間的價格差距也將擴大，HBM4高階產品價格可能超過每Gb 5美元，較低階產品則接近3美元。

在產品規格方面，8層堆疊HBM4由於單位記憶體基礎晶片成本較高，預計每位元價格將較12層堆疊產品高出5%至10%；下一代HBM4E的定價則可能大幅高於HBM4。

高盛表示，相關預測與該行看法大致一致，目前預估主要供應商2027年HBM平均售價將年增100%至160%。

TrendForce另指出，HBM4受惠於較高的價格溢價，預計將占2027年HBM產業營收近60%。

潔淨室與設備交期成擴產瓶頸 2028年前供給難顯著增加

儘管記憶體大廠積極規劃資本支出，TrendForce認為，潔淨室空間不足與半導體設備交貨期過長，將限制產能擴張，使2028年前難以出現顯著的DRAM有效供給增量。

TrendForce預估，南韓兩家主要記憶體廠商2027年各自每月可增加8萬至10萬片晶圓產能。不過，三星電子(005930KS) 新增產能預計大多用於HBM生產，傳統DRAM的位元供給成長則主要仰賴製程升級。

設備供應狀況預計自2027年下半年起逐步改善，但新晶圓廠要到2028年才會對整體供給產生實質貢獻。此外，記憶體廠商也可能根據市場需求前景，主動調整擴產速度。

在需求端，Google(GOOGL-US) 正成為HBM市場的重要成長動能。隨著Google持續提高張量處理器（TPU）在資料中心的部署比例，TrendForce預期，2027年HBM3E的位元需求仍將獲得支撐，顯示市場需求不會完全集中於HBM4及HBM4E等新一代產品。

在個股方面，高盛重申對三星電子普通股及優先股的買入評級，12個月目標價分別為50萬韓元及38萬韓元，估值採用2026至2027年預期企業價值對EBITDA倍數的分類加總法（SOTP）。

高盛也維持SK海力士(000660KS) 買入評級，目標價為350萬韓元，依據2026至2027年平均預期本益比（P/E）9倍進行估值。