鉅亨網編譯羅昀玫
AI新聞摘要市場傳出台積電 (TSM-US) 應輝達 (Nvidia)(NVDA-US) 要求，研擬先進記憶體 3D DRAM 製造計畫，並評估自建新廠或收購既有廠房改建。不過，台積電重申將持續專注專業晶圓代工、服務全球邏輯晶片產業，未證實相關投資。
《Tom’s Hardware》分析，3D DRAM 即使對既有記憶體大廠而言，距離成熟商用仍有多年。台積電若投入，不僅需要建立不同於邏輯晶片的製程能力，還須承擔龐大資本支出與記憶體景氣循環風險，難以藉此解決眼前的供應短缺。
《The Information》6 日引述兩名知情人士報導，台積電應輝達要求，開始規劃 3D DRAM 製造，可能採取興建新廠，或收購現有半導體工廠後改建等方式，但尚未揭露量產時間表。
報導稱，相關計畫由台積電副總經理徐國晉主導。徐國晉負責研究發展及先進封裝技術發展，職掌涵蓋 3D IC 與先進封裝系統整合技術，過去曾擔任台灣美光董事長，具有記憶體產業經驗。
針對傳聞，台積電發言人向《Tom’s Hardware》表示，不評論市場傳聞或臆測，強調公司的核心業務始終是專業晶圓代工，目標是持續成為「全球邏輯晶片」產業，值得信賴的技術與產能供應商。輝達則未立即回應外媒置評請求。
台積電 ADR (TSM-US) 大漲 6.33% 至每股 375.56 美元，折溢價達 15.27%，換算價為 2461.04 元。
華邦電董事長焦佑鈞 7 日表示，跨足 DRAM 必須克服自主技術與專利門檻，考量台積電與記憶體業者已有緊密合作，他評估台積電自行投入 DRAM 產品開發的可能性不高。他認為，台積電若決定投入，會在技術準備成熟後才對外說明，但強調相關看法屬個人推測，並未向業者求證。
3D DRAM 與 HBM 不同 難解短期缺貨
技術上，本文所指的 3D DRAM 與目前 AI 市場大量採用的高頻寬記憶體 (HBM)，雖然都涉及垂直堆疊，堆疊的層級卻不同。HBM 主要將多顆 DRAM 晶粒堆疊並互連；3D DRAM 則是在記憶體製造架構中，將記憶單元向垂直方向配置，以提高單位面積的容量。
這項差異意味著，台積電既有的先進封裝能力，不能直接等同於具備 3D DRAM 製造技術。
DRAM 與邏輯晶片需要不同的製程能力，而 3D DRAM 還須解決多層記憶單元的製造、缺陷控制與良率問題。美光、三星及 SK 海力士均在開發相關技術，但距離成熟商用仍有一段路；以美光為例，其技術規劃仍包括持續推進多代平面 DRAM 製程。
該媒體判斷，台積電即使投入相關開發，也難以在至少五年內藉此緩解目前的記憶體短缺，顯示這類布局更偏向長期技術與產能規劃。
收購仍須長期投資 跨足製造牽動合作關係
《Tom’s Hardware》分析，收購具有自有晶圓廠的特殊型記憶體業者，可能讓台積電取得部分技術、人才與智慧財產，降低從零起步的難度。但小型業者通常不具備最先進的大宗 DRAM 製程，後續仍可能需要數十億美元及多年研發投入，才能建立具競爭力的技術。
投資風險也不僅限於技術。記憶體缺貨與價格上漲往往刺激擴產，但當新增產能集中開出，又可能造成供過於求，壓低價格與獲利，使投資回收面臨不確定性。
此外，台積電若自行製造 DRAM，也可能改變與既有合作夥伴的關係。
SK 海力士於 2024 年宣布與台積電合作，規劃將台積電先進邏輯製程用於 HBM4 的邏輯基底晶片；若台積電進一步跨入記憶單元製造，雙方可能同時存在合作與競爭關係。
HBM 基底晶片、先進封裝 仍可分享記憶體商機
台積電仍可透過生產 HBM 邏輯基底晶片、運用 SoIC 混合鍵合技術整合記憶體與處理器，以及攜手創意與既有 DRAM 業者開發客製化方案，提高在先進記憶體供應鏈中的附加價值。
這些途徑可延伸台積電既有的邏輯製程與先進封裝優勢，同時降低自行建立完整 DRAM 製程及新建晶圓廠的資金負擔，讓公司持續分享 AI 記憶體需求成長帶來的商機。
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