算力超級周期邁入分層時代 長鑫科技展示全場景記憶體新局

第二十三屆中國國際半導體博覽會(IC China 2026)於11月12日開幕，長鑫科技集中展示面向伺服器、智慧型手機與汽車三大場景的記憶體產品矩陣。

長鑫科技副總裁駱曉東在展會演講中指出，受全球算力需求激增推動，算力超級周期正進入全新的「分層時代」，記憶體產業競爭已從單一性能指標的比拼，全面轉向全場景產品布局能力的競爭。

駱曉東解析儲存新賽局

駱曉東分析，算力分層首先體現在細分市場需求的分化上：伺服器市場需求占比已突破50%，增量優先流向AI大型語言模型與智算中心等高價值場景；汽車市場預計至2030年複合成長率約30%；手機、PC等消費電子市場隨AI功能滲透加速，但仍具周期波動特徵。

另一方面，不同AI應用對記憶體的要求亦呈現顯著差異：大模型推理解碼階段受記憶體頻寬限制，長文本處理凸顯算力瓶頸，而超大參數多卡訓練則對記憶體容量與互連能力提出極高要求。

布局三大場景

為對應分層需求，長鑫科技首展三大主線產品：

伺服器領域：駱曉東表示，具備低延遲與高性價比優勢的RDIMM仍是伺服器記憶體核心。長鑫DDR5顆粒已迭代至32Gb，RDIMM模組涵蓋32GB至128GB主流容量段及5600Mbps至8000Mbps速率；MRDIMM最高速率更達12800Mbps，搶攻大容量高頻寬資料中心市場。

裝置端AI領域：長鑫展示全球首發量產的LPDDR6，最高傳輸速率達12800Mbps，較上一代LPDDR5X頻寬提升60%、功耗降低20%，並已率先搭載於小米18 Fold折疊旗艦手機落地商用。

汽車領域：因應寬溫與振動等複雜工況，長鑫最新車規級LPDDR5X通過AEC-Q100 Grade 2與ISO 26262 ASIL D雙重認證，並提供315焊球及441焊球兩種封裝方案，滿足智慧駕駛對高安全與高頻寬的需求。

研發加碼與技術轉型

技術研發方面，長鑫科技2026年前三季度研發投入達110.71億元人民幣，年增73.03%。其展出的第五代技術平台(G5)採用四重曝光工藝，將有源區半間距微縮至11.95奈米，每片晶圓的裸晶產出量提升至少50%。

面對DRAM供不應求的產業窗口期，長鑫表示已與多家頭部客戶簽署長期供貨合約。隨著DDR5與LPDDR6等高附加值產品放量，四季度及2027年營收預計將維持成長態勢，持續強化全場景儲存底座。