搶先美光一步！東芝/Hynix傳2016年度量產MRAM

精實新聞 2014-01-02  記者 蔡承啟 報導

20140102_6_0.jpg -->日經新聞1日報導，東芝(Toshiba)將攜手南韓SK Hynix於2016年度量產可大幅提高智慧手機效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」，量產時間將比美國美光科技(Micron Technology Inc.)所計畫的2018年提前了約2年時間。

報導指出，東芝和Hynix於2011年開始共同研發MRAM，並計畫於2014年度內進行試作品的出貨。據報導，東芝/Hynix將利用位於首爾郊外的Hynix主力工廠生產MRAM試作品、最快並計畫於2016年度進行量產，且若後續MRAM呈現普及，雙方也計畫設立合資公司、並計畫在南韓投資1,000億日圓興建專用產線。

目前MRAM的研發可分為三大陣營，除了上述的東芝/Hynix之外，三星電子(Samsung Electronics)也正進行研發，而美光則和東京威力科創(Tokyo Electron)等20家以上日美半導體相關企業進行合作，希望於2016年度確立MRAM的量產技術、之後並計劃於2018年透過美光子公司爾必達(Elpida)的廣島工廠進行量產。

MRAM為一種低耗電力且寫入速度極快的非揮發性記憶體，且即便切斷電源資料也不會消失；和現行主流記憶體「DRAM」相比，MRAM的記憶容量及寫入速度可大幅提高至10倍，且搭載MRAM的電子產品的耗電力可縮減至2/3，即在充飽一次電的情況下，可將智慧手機的使用時間自現行的數十小時大幅延長至數百小時。

據日經指出，東北大學預估，2020年MRAM全球需求可望達7兆日圓，且隨著記憶體需求持續自DRAM轉移至MRAM，預估包含智慧手機等電子機器、製造設備及材料等相關領域計算，整體MRAM相關經濟效應將達100兆日圓。