F-IET：III-V半導體整合，攜Soitec爭成長利基

精實新聞 2014-04-07  記者 羅毓嘉 報導

III-V族半導體磊晶廠F-IET(4971,英特磊)董事長康潤生指出，III-V族半導體產業正在快速整合，2013年幾樁海外大廠的合併案證實此一趨勢加速發生，F-IET也選擇和法國大廠Soitec結盟，進一步取得更高的產能和先進技術，尤其有利於F-IET未來轉進高聚光型太陽能(HCPV)市場，佔據更佳的競爭利基。

F-IET董事長康潤生表示，去年間IQE買下Kpoin磊晶產線、RFMD和TriQuint合併案，都證明III-V族半導體產業正加速整合腳步，市況更趨穩定，F-IET看好今年市況將優於去年，亦決議攜手法國Soitec，藉著引進更高產能和技術，取得競爭優勢。

康潤生說明，RFMD和TriQuint合併，短期內看不到明顯的影響，因為公司已經是TriQuint認證廠商，就算TriQuint有供應商規則的改變，也需要費時的認證流程，且F-IET在業界供應鏈裏頭具有穩固地位，客戶產品線的掌握上，算是可攻可守，並不會有明顯的影響。

同時，F-IET也藉由和法國Soitec的合作，取得先進技術與產能，有利於未來的競爭優勢，康潤生指出，Soitec既有客戶以工業應用為主，這塊領域是F-IET非常想要著墨的，和公司在美國、日本的客戶群是非常不一樣，有龐大的互補空間。

另一方面，III-V族材料在聚光型的太陽能應用非常廣泛，Soitec在該領域著墨甚深，未來成長空間看俏，康潤生看好HCPV聚光型III-V材料在未來3-5年內將有成長空間爆發，且Soitec也是用MBE(分子束磊晶)設備，和F-IET一樣，雙方將可藉由技術合作，提升MBE用於HCPV磊晶生產的效益，進一步加速跨足HCPV市場的機會。

而就F-IET自家產能擴張計劃來看，康潤生指出，F-IET在美國、中國共擁有三座生產基地，去年不僅完成天津廠區的設置，位於美國德州Richardson的廠區今年則要進一步實施擴產，整體生產力的設定將持續擴張。

F-IET去年營收為5.7億元，年增2.2%，毛利率為42.1%、營益率18.7%，毛利率與營益率較前年的42.5%、21.7%下滑；累計2013年全年，F-IET稅後盈餘為1.05億元，年減10.3%，EPS為3.81元。