DRAM
歐亞股
三星電子周四(8日)公布第3季初步財報，再度刷新紀錄，營業利益達107.4兆韓元(約802億美元)，史上首度突破100兆韓元大關，顯示記憶體晶片價格飆升，加上人工智慧(AI)基礎建設持續獲得大筆投資，正推升其獲利。三星截至9月的第3季營業利益較去年同期躍增782%，但略低於分析師平均預估的108.7兆韓元。
台股新聞
2026年10月07日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI基礎建設需求與記憶體價格上升，持續推升宜鼎(5289-TW)營收。公司公布9月營收87.13億元，月增約0.38%、年增535.71%，續創單月新高；累計前三季營收615.14億元，年增550.62%。
台股新聞
十銓(4967-TW)今(7)日公布 9 月營收 40.81 億元，月成長 16.17%，年成長 109.69%，寫下歷史單月次高，第三季合併營收為 101.39 億元，季成長 33.61%，年成長 143.53%，創單季營收新高並突破百億大關，前三季合併營收 267.72 億元，同步締造歷年同期新高紀錄。
歐亞股
南韓三星電子預計明(8)日公布今年第三季初步業績成績單，市場預期營收約200–201.3兆韓元、營業利益約106–110兆韓元，西些分析師預估108.5兆韓元、年增近9倍，半導體部門估賺110兆韓元，靠AI伺服器DRAM、NAND與HBM4抵消手機、家電虧損。
台股新聞
2026年10月06日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 華邦電(2344-TW)公布9月合併營收282.49億元，月增3.44%、年增256.67%，再次改寫營收歷史新高；第三季營收達823.31億元，季增37.6%、年增278.2%，同步創下單季新高。
美股雷達
根據摩根士丹利(下稱大摩)最新半導體研報，DRAM與HBM短缺並非短期擾動，而是AI算力擴張速度快於記憶體供給的結構性矛盾。先進大模型規模約每6個月倍增，主要模型上下文窗口年增5至6倍，推理並發與KV快取需求同步爆發，但DRAM新廠建置需時數年，供給彈性低，短缺可延續數年。
美股雷達
市場普遍預判，三星、SK海力士、美光及長鑫存儲集體擴產將導致2027年記憶體過剩、價格崩盤，但美光最新第四財季業績的炸裂數據直接推翻這一慣性認知，本輪記憶體上行周期比想象中更猛、更持久，2027年大概率維持供不應求。美光在第四財季營收542億美元，季增31%，淨利潤高達384億美元，毛利率飆至87%，本財季指引營收615億美元，毛利率維持86%超高水平。
美股雷達
美光最新公布的強勁財報，為即將於 10 月 27 日登場的 SK 海力士 (SK Hynix) 第三季法說會開出閃亮頭彩。隨著全球人工智慧 (AI) 應用需求持續攀升，AI 記憶體市場正面臨長期供不應求的局面，美光釋出的樂觀展望不僅振奮市場，更為同業 SK 海力士帶來極具指標性的正面訊號。
歐亞股
南韓三星電子在記憶體晶片持續短缺下將Galaxy S26系列多數機型售價上調，將記憶體與NAND成本壓力轉嫁消費者，成為消費科技品牌漲價的最新案例。在本次漲價中，Galaxy S26、S26+和S26 Ultra各漲100美元，售價分別升至1000美元、1200美元和1400美元，Ultra的1TB頂級版漲200美元至2000美元。
美股雷達
花旗集團(C-US) 在美光科技(MU-US) 公布季度財報與財測後，重申對 SanDisk Corp(SNDKV-US) 的「買進」評級，目標價維持在 2,100 美元。美光 NAND 營收季增 42%，價格上漲約 30%，高於市場預期的 20%。
美股雷達
記憶體晶片大廠美光科技週三(9月30日)公佈2026財年第四財季財報，受AI資料中心對記憶體與記憶體晶片需求拉動，業績大幅飆升，調整後EPS 33.42美元，遠高於華爾街預期的31.72美元，也較一年前的3.03美元大幅成長，季度營收540億美元，超出市場預估510億美元，較去年同期大漲379%。
國際政經
AI需求持續攀升，三星電子(005930KS) 與美光科技(MU-US) 相繼對記憶體供應示警。三星預估，明年高頻寬記憶體（HBM）占DRAM晶圓產能比重將逼近三成，進一步壓縮傳統DRAM供應；美光則指出，訂單遠超產能，2027、2028財年記憶體與儲存供需將比2026財年更加吃緊。
台股新聞
台股今(30)日因台積電尾盤急殺，漲幅顯著收斂、終場上漲308點，收在47,940點，失守4萬8千點大關，但仍力守五日線，三大法人今日全站買方，外資狂掃雙D族群，包括面板雙虎的群創及友達，以及記憶體族群的力積電與華邦電，四檔合計共26.4萬張。
歐亞股
三星電子(005930KS) 晶圓代工事業虧損有望明顯收斂。市場原先認為，DRAM價格上漲與2奈米晶圓訂單增加，將有助三星改善晶圓代工業務表現，但最新分析指出，隨著高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，HBM已成為三星縮減年度虧損的重要支柱。《Wccftech》引述《Digital Daily》報導指出，Kiwoom Securities最新分析預估，三星非記憶體事業的年度營業虧損將從2025年的6.74兆韓元（約51億美元），降至2026年的3.92兆韓元（約29.5億美元），年減約41.8%。
歐亞股
今年第三季(9月30日止)，南韓股市遭遇劇烈反轉，綜合股指(Kospi)暴跌18.8%，成為同期全球表現最差的主要股市之一，這場拋售潮發生在AI交易突然逆轉之後，此前押注AI基礎設施需求的熱門標的三星電子和SK海力士等記憶體晶片股成重災區。儘管如此，Kospi今年來仍累計上漲60%，表現位居全球前列。
台股新聞
TrendForce今(30)日發布最新記憶體產業研究，2026年第四季DRAM原廠持續將先進製程投入生產伺服器應用的高效能產品，整體維持供不應求格局，惟合約價漲勢放緩，預計一般型DRAM(conventional DRAM)價格將季增10-15%。
歐亞股
AI需求推動存儲廠商加碼HBM，傳統DRAM供應承壓。三星高層預計明年HBM將佔全球DRAM晶圓總產能近三成，市場研究機構同時上調2027年HBM價格預期。三星電子執行副總裁Kim Taewoo 29日（周二）表示，預計明年HBM將佔DRAM廠商晶圓總產能近30%，目前約20%。
國際政經
2026年09月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI伺服器大量採用高頻寬記憶體(HBM)，正在改變全球DRAM產能配置。三星電子(005930-KR)最新表示，HBM預計到2027年將占全球DRAM晶圓產能接近30%，高於目前約20%。
歐亞股
上市不滿兩月的中國長鑫科技正打算進一步動用超募資金擴大研發及商業化投入，專案總投資金額達349億元(人民幣，下同)。根據長鑫科技周一(28日)公告，擬使用180億元超募資金投資建設兩個新項目，其中130億元用於新建技術研發項目，50億元通過向全資子公司增資和提供借款的方式，用於建設存儲器晶圓後道測試基地二期項目。
美股雷達
本周才剛開始，但華爾街已將目光投向周三下午。屆時，美光科技(Micron)(MU-US)將公布2026會計年度第四季財報。據《TipRanks》，這家記憶體巨頭即將公布財報之際，市場預期已經相當高，主要受到 AI 基礎設施對記憶體需求激增，以及整體產業供應緊張所推動。