DRAM
隨著市場再度開始擔憂需求是否足以支撐人工智慧(AI)支出持續，美光(MU-US)股價周四(22日)隨晶片與AI股下挫，即使輝達(NVDA-US)執行長黃仁勳表示，記憶體需求不太可能降溫，也未能阻止股價下滑。美光股價周四終場下跌6.3%至每股856.49美元，回吐周三的2%漲幅。
美股雷達
外媒最新報導指出，AI半導體領域傳出架構劇變信號，以高速SRAM設計聞名、近期遭輝達實質性收購的晶片公司Groq正評估在下一代晶片中引入3D堆疊DRAM封裝技術，試圖擺脫傳統SRAM架構的容量瓶頸。目前，AI晶片多採2D封裝，Groq計畫導入3D封裝，將多個半導體裸片垂直堆疊，其方案名為3DS，核心是利用TSV(矽通孔)技術在DRAM晶片內打穿數千微孔垂直互連，猶如為記憶體建起摩天大樓，在單位面積內提供超高顯存密度。
美股雷達
隨著人工智慧(AI)技術爆發性成長，記憶體市場需求急遽攀升，價格飆漲與產能吃緊迫使智慧型手機製造商不得不另尋出路。據科技媒體《Wccftech》報導，部分中國手機品牌正擴大採用從舊機拆解回收的動態隨機存取記憶體(DRAM)，甚至計畫在入門級機種中，全面導入使用年限已達 5 至 6 年的二手 DRAM，冀望藉此降低生產成本並維持出貨量。
歐亞股
特斯拉執行長馬斯克上周四(15日)稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片，引發半導體界對記憶體「超級周期」可能提前見頂的討論。市場關注長鑫存儲產能爬坡，會否在2028年與AI資本支出放緩疊加，反手壓垮DRAM價格。自10月11日起，馬斯克接連發文稱RAM短缺是AI瓶頸；12日指中國掌握技術後能大幅擴產；隔日又點名美光價格「合理」，但三星、SK海力士報價「高得離譜」。
美股雷達
記憶體長約越簽越長 Alphabet一口氣談到2035年 戴爾、惠普也鎖到2031年AI資料中心記憶體供應持續吃緊，科技大廠正加快延長供應長約。據悉，惠普(HPQ-US) 、戴爾(DELL-US) 已將與美光(MU-US) 的合約延長至2031年，Google母公司Alphabet(GOOGL-US) 則正洽談延長至2035年。
美股雷達
美光科技(MU-US) 副總裁李哲（Lee Cheol）周一（19日）在首爾舉行的韓國半導體展（SEDEX 2026）透露，公司正在研發專為實體AI應用設計的邊緣推理記憶體（EIM），瞄準自動駕駛、人形機器人等新興需求。業界預期，相關產品將於2028年下半年量產。
ETF
AI熱潮推升全球科技股連番走高，近期市場卻因利率、通蓬及評價疑慮出現震盪，亞洲科技股漲多後是否仍有進場空間？看好AI資本支出持續向亞洲供應鏈擴散，野村投信今(19)日宣布推出主動式ETF「主動野村亞洲科技ETF（00420A）」，布局台日韓等亞洲市場，以及被動式ETF「野村韓國科技30ETF（009833）」，將於11月3日至6日限時募集，透過跨市場主動選股與聚焦韓國科技的指數化策略，掌握亞洲科技成長契機。
A股
長鑫科技週五（16日）發布業績預告，預計2026年前三季度歸屬於上市公司股東的淨利潤達1,310億元至1,325億元人民幣（以下同），較上年同期虧損52.80億元實現大幅扭虧為盈，增幅逾千億元，標誌著這家中國記憶體晶片龍頭，在AI驅動的產業景氣週期中完成一次歷史性跨越。
國際政經
2026年10月16日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI推論服務逐漸面臨記憶體容量與資料搬移瓶頸。SK海力士SK hynix(000660-KR)10月16日公布OCP全球峰會展示成果，透過CXL記憶體池，讓多台伺服器共用記憶體與推論快取，降低重複傳輸負擔，並展示結合DRAM與SSD的混合架構。
歐亞股
SK海力士周五(16日)表示，已在美國加州舉行的OCP全球峰會2026上展示新一代AI記憶體技術，目標是把AI基礎建設的擴展邊界從傳統HBM向外延伸。該峰會由開放運算計畫基金會主辦，聚集全球工程師與資料中心業者。SK海力士展區分為兩部分：前區「記憶體展區」陳列HBM等旗艦產品；後區「系統演示區」規模更大，聚焦下一代伺服器生態所需的記憶體方案。
A股
中國記憶體大廠長鑫科技週四(15日)股價走低，收於每股43.59元(人民幣，下同)，總市值跌破3兆元，A股「市值一哥」隨之易主，工商銀行重回首位。自今年7月27日上市首日盤中超越工商銀行登頂後，這檔記憶體晶片龍頭股市值一路回吐，8月17日收盤價達61.8元、市值4.2兆元，隨後先跌破4兆、再跌破3兆，從8月17日收盤至10月14日，股價累計跌25.57%，市值蒸發1.07兆元。
美股雷達
記憶體股本周遭遇猛烈賣壓，除了全球股市動盪，中國競爭升溫與2029年可能供給過剩的疑慮，也讓投資人重新檢視AI帶動的記憶體榮景能走多久。過去5個交易日，SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)重挫26%、三星電子(005930-KR)下跌22%，美光(MU-US)則跌約11%。
美股雷達
特斯拉(TSLA-US) 執行長馬斯克週四（15日）在社群平台 X 發文指出，中國到2028年將能大規模生產隨機存取記憶體（RAM），引發市場對中國半導體產業加速追趕的關注。南韓金融專欄近期也示警，隨著中國新增產能陸續開出，南韓記憶體產業可能在2029年面臨供給過剩，若未能在未來2至3年培養新的成長動能，現有的產業優勢恐將逆轉。
美股雷達
SK海力士正處於全球記憶體晶片拋售潮風暴中心，近六日ADR股價跌逾15%，今(15)日早盤在南韓市場崩逾10%，美光、西部數據、希捷週三(14日)跌近2%。對此《CNBC》名嘴Jim Cramer指出，SK海力士與SMH半導體ETF成分股高度連動，美股晶片族群更跟海力士連動，非只跟輝達，其記憶體業務規模與價格指標意義，令SK海力士成為更廣泛半導體賣壓的領頭羊。
美股雷達
全球人工智慧（AI）投資熱潮推升記憶體族群股價大幅走高，如今卻因中國長鑫科技(688825-CN) 傳出技術突破，引發市場重新評估記憶體產業的競爭格局與獲利前景。高盛最新報告指出，先前推動行情的投機性資金已出現撤退跡象，但規模約700億美元的資產管理機構多頭部位仍接近歷史高點，後續是否跟進減碼，將成為左右市場走勢的關鍵。
歐亞股
外媒最新報導指出，SK海力士第六代高頻寬記憶體HBM4擴產步伐出現放緩跡象，部分後道工序設備訂單遞延至明年，後續採購計畫尚未明朗，引發市場對HBM4量產進度的疑慮，相關設備供應商股價承受潛在壓力。韓媒《Dealsite》近日引述半導體設備業界消息報導，原定今年下半年交付的部分HBM4後道設備，出貨時程往後順延，已交付設備是否滿載運轉缺乏數據佐證，SK海力士2027年度投資計畫也未正式通知部分供應商。
美股雷達
美光科技(MU-US)股價周二(13日)收低3.6%，連續第四個交易日下跌，長鑫存儲(CXMT)傳出在提升單顆晶片記憶體密度的技術上取得進展後，中國記憶體業者加速追趕的可能性，令市場對產業競爭升溫的疑慮加深。美光周二下跌3.6%至每股953.19美元，半導體類股也普遍走弱。
美股雷達
市場對中國競爭威脅及人工智慧(AI)估值過高的疑慮升溫，導致全球半導體股壟罩在賣壓中，南韓以晶片股為主的股市周二(13日)重挫逾6%。三星電子與SK海力士(SK Hynix)股價周二一度下跌逾8%，連續第五個交易日走低，拖累KOSPI盤中下跌6.7%，截稿前暫報5959.74點。
美股雷達
記憶體大廠美光(MU-US)投資人正等待該公司睽違兩年的庫藏股計畫，一名分析師表示，從董事會上周五將授權總額增至351.6億美元來看，美光展現出比同業更願意回饋股東的心。美光在上周五提交的10-K年度報告中表示，董事會已額外授權330億美元的庫藏股計畫，使庫藏股授權總額增至351.6億美元。
美股雷達
記憶體企業獲利持續攀高，股價卻反向走弱。美光(MU-US)周一(12日)盤中下跌近5%，跌破1,000美元，創逾三周低點；SanDisk(SNDK-US)跌幅更達7%。中國長鑫存儲(CXMT)宣布新一代DRAM技術取得進展，加上南韓股市補跌、晶片大廠回購支撐減弱，使投資人開始擔心，記憶體產業即使短期業績強勁，仍可能逐步接近獲利高峰。