DRAM
A股
中國記憶體晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 準備透過上海科創板首次公開募股 (IPO) 籌資最多 98 億美元，規模可望成為中國史上第二大 IPO。然而，《彭博》專欄指出，這筆備受追捧的交易可能成為科技股的「有毒聖杯」，在吸引大量資金的同時，抽乾其他人工智慧 (AI) 與半導體類股的市場流動性。
科技
隨著人工智慧 (AI) 技術的爆發式成長，全球半導體市場正經歷一場前所未有的劇烈變革。根據最新的市場分析與產業領袖看法，動態隨機存取記憶體 (DRAM) 已成為科技領域中最受供應鏈限制的「大宗商品」之一。市場普遍認為，這場由 AI 基礎設施建設驅動的記憶體短缺，短時間內難以緩解，甚至有專家預測短缺情況將持續長達十年之久。
美股雷達
儘管 7 月以來半導體族群表現震盪，人工智慧（AI）硬體股仍獲華爾街分析師力挺。市場重新評估中國 AI 模型 Kimi K3 帶來的影響後，分析人士認為，該模型並未削弱 AI 基礎建設需求，反而可能因運算規模提升，推升對高效能記憶體與儲存晶片的需求。
美股雷達
全球半導體市場正經歷一場前所未見的結構性轉變。市場研究機構 Gartner 在今年 4 月發布的最新報告中，特別為此創造了一個新詞彙「Memflation」，將「Memory」（記憶體）與「Inflation」（通膨）兩字結合，用以形容當前記憶體價格暴漲、非 AI 產業被迫承擔成本壓力的現象。
歐亞股
作為第六代高頻寬記憶體，HBM4 將應用於輝達今年下半年推出的 Vera Rubin 等 AI 加速晶片，成為今年下半年企業業績關鍵支撐。目前，三星電子、SK 海力士與美光科技全球三大記憶體晶片廠已全面展開 HBM4 良率競爭。三星率先實現 HBM4 規模化量產，業界估其良率接近 70%，得益於年初良率穩定超 80% 的 1C 製程 DRAM 持續帶動，良率管控能力顯著提升。
美股雷達
費城半導體指數 (SOX) 上周五正式跌入熊市之後，記憶體與晶片股周一 (20 日) 展開反彈，摩根士丹利 (Morgan Stanley) 表示，記憶體晶片仍是人工智慧 (AI) 發展的關鍵瓶頸，需求可望維持強勁摩根士丹利分析師 Joseph Moore 指出，當前這輪己慶循環存在許多可能誤導投資人的「假警訊」。
美股雷達
儘管南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SKHY-US) 高層警告，當前的記憶體價格水準長期而言並不可持續，引發記憶體股下跌的擔憂，但美國記憶體大廠美光科技 (MU-US) 股價在連跌三個交易日後，週一（20 日）收盤上漲 1.9%，來到 865.46 美元。
美股雷達
美國記憶體股近期遭遇一波獲利了結賣壓，市場憂心增速放緩、資本支出攀升及客戶端縮減採購規格等因素恐衝擊產業前景。不過摩根士丹利 (MS-US) 在最新報告中直言，這些疑慮並非新事，早在股價回檔前一個月就已浮上檯面，產業基本面並未出現任何實質惡化，此波下跌反而是難得的加碼時機。
美股雷達
隨著市場憂心記憶體晶片業者近來積極擴充產能，恐在未來造成供過於求，進而衝擊價格表現，記憶體股近期走勢疲軟。不過，多位分析師受訪時指出，現階段真正的隱憂並非產能過剩，而是供給仍舊吃緊。根據《Seeking Alpha》報導，該報旗下分析師 Bohdan Kucheriavyi 表示，以目前情勢來看，產業面臨的問題恰恰相反。
台股新聞
七家金融業攜手為台灣科技產業 AI 供應鏈「增能」，由彰化銀行 (2801-TW) 與元大銀行共同統籌主辦凌航科技（3135-TW）三年期新台幣 36 億元聯合授信案，已成功完成募集，今（20) 日正式完成簽約。本次聯貸案資金用途係為充實中期營運暨購料週轉金所需，除由彰銀和元大銀共同統籌主辦，並在臺灣企銀、第一銀行、華南銀行、兆豐銀行及合作金庫等共 7 家金融機構共同參與下，以新台幣 36 億元完成募集，充分顯示金融同業對凌航科技卓越的營運成效與未來發展潛力，給予高度的肯定與支持。
新股上市
中國半導體產業迎來里程碑時刻，國產 DRAM 龍頭長鑫存儲 (CXMT) 下周一 (27 日) 在上海證交所科創板正式掛牌交易，市場看好該公司有望刷新 2010 年以來 A 股市場的募資紀錄。根據公開招股書，長鑫存儲本次計畫募資高達 579 億元人民幣 (約 86 億美元)，若全額行使超額配售權，募資規模將進一步攀升至 667 億元，公司估值上看 850 億美元。
美股雷達
最新數據顯示，中國長鑫科技上周同時被兩套貨幣、兩套估值體系定價，揭開 AI 時代半導體資產瘋狂與焦慮的雙面圖景。長鑫科技上週四 (16 日) 啟動科創板新股申購，發行價每股 8.66 元 (人民幣，下同)，對應上市估值 5792 億元人民幣，募資約 579 億元，超越中芯國際成科創板史上最大 IPO，有望問鼎今年亞洲最大 IPO。
美股雷達
儘管晶片類股正式步入熊市，但美國銀行（BofA）分析師認為，近期市場承受的賣壓僅是「夏季重整，而非基本面反轉」，並持續看好半導體類股。根據《MarketWatch》報導，半導體族群近期走勢劇烈震盪。在今年上半年大幅飆漲後，費城半導體指數（SOX）於上週五（17 日）正式跌入熊市（價格自近期重要高點回落 20% 以上），收盤較 6 月 22 日創下的歷史收盤高點下跌 20.2%。
美股雷達
全球記憶體供應緊張態勢持續延燒，中國記憶體大廠長鑫存儲近期同時成為兩則重要供應鏈消息的焦點：一是蘋果 (AAPL-US) 被曝正評估、遊說鬆綁對其 DRAM 晶片的採購限制；二是包括戴爾科技 (DELL-US) 、惠普 (HPQ-US) 、聯想 (03396-HK) 在內的多家 PC 大廠，已開始提前鎖定長鑫儲存的 DRAM 供應，以確保未來兩年的產品生產計畫。
美股雷達
近期市場一度擔憂，記憶體廠第三季財報恐因均價（ASP）漲幅無法達到共識而「不如預期」，不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果，打臉了這股悲觀情緒。報告指出，第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%，明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。
美股雷達
《TipRanks》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 近一個月下跌 18%，主要因投資人在今年股價大漲後獲利了結。中東緊張局勢再度升溫，也拖累 AI 及科技股表現。儘管近期回檔，華爾街分析師對美光後市仍維持樂觀看法，認為記憶體供給持續吃緊，以及價格上漲趨勢不變。
歐亞股
日本記憶體晶片巨頭鎧俠股價較 6 月高點腰斬之際，野村證券發布研究報告逆勢將鎧俠目標價上調至 126000 日元，並重申「買進」評級。野村認為，近期回檔屬 AI 驅動的漲多修正，NAND 快閃記憶體供需格局持續改善，單位價格漲幅超出市場預期，長線基本面未遭破壞。
美股雷達
記憶體大廠美光 (MU-US) 今 (17) 日宣布，已與支援全球汽車產業及汽車製造商的主要一級 (Tier 1) 供應商與生態系合作夥伴，完成簽署策略性客戶協議(Strategic Customer Agreements, SCAs)。車用平台需要在長產品生命週期中維持穩定且高品質的零組件供應，因此記憶體與儲存的供應延續性與可靠性，對大規模車輛生產與交付至關重要。
歐亞股
中國國內唯一實現 DRAM 大規模量產的 IDM 企業長鑫存儲本月正式在科創板掛牌申購，以 7.67% 的全球市佔率穩居中國第一、全球第四，徹底改寫三星、SK 海力士、美光壟斷逾 9 成市佔率格局，成為中國半導體記憶體業里程碑式事件。高盛最新研報確認，受 AI 驅動的記憶體超級週期鎖定至 2028 年，而供給端海外巨頭產能全面傾斜 HBM 高端賽道，HBM 晶圓消耗為傳統 DRAM 的 3-4 倍，導致通用 DRAM 與 NAND 產能持續收縮，到 2030 年全球傳統 DRAM 產能年複合成長率僅 7-8%，遠低於上一輪 12%。
美股雷達
摩根士丹利 (下稱大摩) 週四 (16 日) 發布重磅報告《Global Technology: Innovating the Next-Generation Memory》，直指 AI 發展的下一個關鍵約束已從「計算擴展」轉向「記憶體牆(Memory Wall)」。