DRAM
台股新聞
一、 2026 年第二季財務與營運詳情財務表現（創單季歷史新高）合併營收：新臺幣 598.43 億元，季增 56.4%。營業毛利與毛利率：毛利 396.45 億元；毛利率上升至 66.2%。記憶體本體：第二季營收 517 億元，毛利率高達 70.3%，營業利益率（OP Margin）達 56.9%，產能利用率達 100%。
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華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，受惠記憶體價格大幅上漲、產品組合改善，以及產能利用率維持滿載，第二季營收、毛利率與獲利同步跳升，單季歸屬於母公司業主淨利 243.17 億元，季增 140.4%，較去年同期轉盈，創下歷史新高，每股純益達 5.4 元，累計上半年每股純益達 7.65 元。
台股新聞
記憶體業者華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，總經理陳沛銘表示，記憶體供給持續吃緊，已有多家客戶希望將長約談到 2029 年、甚至 2030 年，並提前鎖定高雄 Module B 新廠產能。因應長期需求，公司已正式啟動 Module B 擴產計畫，預計 2027 年 1 月動工、2029 年開始裝機，最快 2029 年底進入量產。
台股新聞
華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，展望第三季，總經理陳沛銘看好，DRAM 與 Flash 價格仍將延續上漲趨勢，雖然 DRAM 平均單位價格不太可能再現第二季翻倍增幅，但供給緊張、AI 需求強勁及產品組合持續優化，將支撐營運續強，並力拚第三季營益率突破 50%，超越第二季的 48.4%。
Counterpoint Research 最新《全球儲存追蹤》報告指出，全球 DRAM 市場格局正加速洗牌。三星電子 (005930KS) 第二季市佔率持續攀升，重回 2024 年以來高點；SK 海力士 (000660KS) 則因市占率下滑，與快速追趕的美光科技 (MU-US) 形成激烈競爭。
台股新聞
記憶體模組大廠威剛 (3260-TW) 今 (6) 日召開法說會並公布 7 月營收，單月合併營收衝上 183.8 億元，月增 25.4%、年增 331.3%，連續第 5 個月改寫歷史新高。公司表示，隨 DRAM 及 NAND Flash 價格持續上漲、通路庫存回到健康水位，加上客戶拉貨力道升溫，第三季營收可望優於第二季，營運持續攀高。
任天堂周四 (6 日) 公布了 2026 財年第一季度 (4 月至 6 月) 財報，表現遠優於市場預期。儘管營收較去年同期下降 9.5% 至 5,178 億日元，但歸屬於母公司的淨利潤大幅增長 53.5%，達到 1,474 億日元，遠高於分析師預測的 1,170 億日元。
美股雷達
全球記憶體供應危機持續升溫，AI 浪潮帶動資料中心大舉擴建，不僅推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，也排擠傳統 DRAM 與 NAND Flash 產能，使整體市場供需失衡情況進一步惡化。根據外媒引述產業消息指出，三星電子、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等主要記憶體供應商，已提前售罄 2027 年 DRAM 與 HBM 產能，市場普遍預期，供應緊張局面至少將持續至 2028 年。
外媒最新報導指出，為緩解下一代 iPhone 與智慧裝置 BOM 成本壓力，蘋果近期就 LPDDR5X 等行動 DRAM 供貨價與長鑫存儲 (CXMT) 談判，要求比照過往「果鏈」慣例讓利，卻遭直接回絕，後者堅持報價不低於三星、SK 海力士，甚至持平或略高。
歐亞股
近期南韓記憶體雙雄三星電子 (005930KS) 與 SK 海力士 (000660KS) 股價大幅修正，引發市場對 AI 記憶體景氣是否見頂的疑慮。不過，高盛最新研究報告認為，市場目前對 HBM、高頻寬記憶體（HBM）定價、長期供貨協議（LTA）、庫存、中國競爭以及股東回饋等議題存在過度悲觀的解讀，導致兩家公司估值已明顯偏離基本面，因此維持「買進」評等。
美國持續收緊對中國半導體出口管制之際，知情人士透露，三星電子與 SK 海力士 (SK Hynix) 正評估未來是否把中國中微半導體設備 (AMEC) 的晶片製造設備導入中國廠使用，以因應美方進一步限制出口的風險。路透引述三名熟悉內情人士說法報導，兩家南韓記憶體大廠約從兩年前便開始測試 AMEC 的蝕刻設備。
美股雷達
《巴隆週刊》報導，美光科技 (MU-US) 週二勁揚 7.62%，收在每股 892.67 美元，盤中一度觸及 902.43 美元、漲幅達 8.8%。最新數據顯示，美光第二季在全球 DRAM 市場持續擴張，營收市占率已逼近 SK 海力士，但中國記憶體業者長鑫存儲 (CXMT) 快速崛起，也為產業競爭增添變數。
台股新聞
DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (4) 日公告 7 月營收，受惠 DRAM 如 DDR5、DDR4 價格持續上漲，南亞科 7 月營收一舉衝上 438.68 億元，月增 49.26%，並較去年同期大增 7.2 倍，續創新高，累計前 7 月營收已達 1,755.04 億元，年增幅高達 660.87%。
AI 浪潮持續推升記憶體需求，全球記憶體市場正迎來前所未有的結構性短缺週期。業界人士透露，三星電子 (005930KS) 、美光科技 (MU-US) 及 SK 海力士 (000660KS) 的 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）2027 年全年產能已提前完成分配，涵蓋長期供貨協議大客戶及部分中小型買家。
美股雷達
根據 TrendForce(集邦科技) 最新記憶體產業研究指出，受 DRAM 供不應求格局將延續至 2027 年、且原廠 HBM4e 驗證進度存在變數影響，自今年第三季起，輝達對次世代 Rubin Ultra 的 HBM 配置已從原先基準設計「HBM4e 12hi」，改為並行評估 HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi 等方案，目前尚未定案。
市調機構 Counterpoint Research 今 (4) 日發布今年第二季全球 DRAM 市佔排名，三星電子以 39% 重回榜首，較上季成長 1 個百分點，創 2024 年來新高，SK 海力士市佔從去年同期 39% 摔至 26%，美光科技緊咬其後拿下 25%，三者合計仍壟斷九成市場，中國長鑫存儲以 7% 市佔穩居第四，營收年增 716%，躋身全球成長最快 DRAM 供應商。
歐亞股
全球記憶體市場再度掀起漲價潮。業界分析，人工智慧（AI）伺服器與高頻寬記憶體（HBM）持續蠶食既有產能，導致傳統記憶體晶片供應日趨吃緊，這波緊縮行情恐怕還沒走到盡頭。根據《韓聯社》報導，市調機構 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 最新統計顯示，個人電腦常用的 DDR4 8Gb 現貨均價於 7 月攀升至 24 美元，單月大漲 14.3%，寫下 2016 年 6 月建立統計以來的歷史新高；而 128Gb MLC NAND 快閃記憶體均價也首度站上 30 美元關卡，同樣刷新紀錄。
最新數據顯示，在記憶體漲價超級週期席捲下，全球智慧手機市場正出現罕見「量縮價漲、營收創高」的背離走勢。市調機構 Counterpoint Research 周一 (3 日) 發布最新監測報告指出，2026 年第二季全球智慧手機業營收年增 7%，達到 1090 億美元，寫下歷年第二季最高紀錄，同期全球出貨量卻年減 11%，創 2013 年以來同期最低水平。
傳統 DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格 7 月雙雙創下新高。在人工智慧 (AI) 伺服器與高頻寬記憶體 (HBM) 持續吸收 DRAM 產能，以及記憶體業者將 NAND 資源轉向企業級固態硬碟 (SSD)、高層數 3D NAND 與先進製程之下，PC、消費性電子及工業設備使用的傳統記憶體供應日益緊張，漲價週期尚未結束。
中國記憶體大廠長鑫存儲 (CXMT) 考慮在北京興建第二座晶圓廠，並正與當地政府支持的科技製造園區洽談融資，希望在人工智慧 (AI) 基礎建設推升全球晶片需求之際擴大產能。《路透》周一 (3 日) 引述兩名知情人士報導，新廠預計設於北京亦莊、距離市中心東南方約 20 公里，將是一座生產動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的 12 吋晶圓廠。