DRAM
三星電子、SK 海力士與美光集體晉身「1 兆美元市值俱樂部」之際，中國最大 DRAM 廠商長鑫科技 (CXMT) 也正式叩開資本市場大門。上海證交所周三 (27 日) 公告，長鑫科技科創板 IPO 申請通過上市委審議，審核狀態已變更為「提交註冊」，成為科創板試點 IPO 預先審閱機制後首單過會企業，從受理到過會僅耗時 148 天。
A股
長鑫科技周三 (27 日) 順利通過科創板上市委審議，意味著這家中國國產 DRAM 龍頭正式開啟資本市場新征程，甚至有望成為中國境內資本市場自 2022 年以來規模最大的上市融資項目。招股書顯示，長鑫科技本次計畫募集資金 295 億元人民幣，若全額行使 15% 的超額配售選擇權，總募資可達約 340 億元人民幣。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 正將 AI 驅動的記憶體需求熱潮，轉化為一場橫跨五大洲的產能擴張行動。受強勁業績展望激勵，美光股價週二（26 日）暴漲 19%，市值叩關 1 兆美元大關，並以歷史收盤新高作收，創下今年來第 28 個歷史峰值。管理層同步預警，記憶體市場供給偏緊的局面將延續至 2026 年以後，並正加速推進全球建廠計畫，大部分新產能預計從 2027 年起陸續投產，擴張版圖一路延伸至 2030 年，涵蓋 DRAM、HBM 及 NAND 多條產品線。
美股雷達
美光科技股價週二 (26 日) 暴漲 19%，市值首次突破 1 兆美元，成為美國第 12 家市值達到 1 兆美元的公司，也是首家總部位於愛達荷州的企業。該公司過去一個月已飆漲約 80%。美光股價狂飆也鞏固了這家美國本土最大記憶體晶片製造商的的地位。
美股雷達
AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
美股雷達
韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 股價三年內暴漲 935%，而分析師預估其市值五年後可望達到 1.45 兆美元，較當前水準再上漲約 83%。儘管外界擔憂記憶體產業重蹈供過於求的覆轍，但分析認為，根據多項結構性因素，這波人工智慧（AI）驅動的記憶體榮景仍有相當大的持續空間。
美股雷達
台積電 (TSM-US)(2330-TW) 這幾年來一直被視為亞洲市場最具代表性的輝達 (NVDA-US) 概念股，但其他 AI 概念股正後來居上，例如聯發科 (2454-TW) 和三星電子今年來漲幅更傲人。隨著 AI 應用逐漸走向主流，對晶片以外的硬體需求正應運而生，從記憶體到機器人技術，各式各樣的子主題正在吸引投資人目光。
國際政經
日本東京大學研究團隊近日宣布，成功開發出一種全新的非揮發性磁性開關零件，能在僅 40 皮秒 (picosecond) 內完成狀態切換，不僅速度驚人，且功耗極低、發熱量遠低於過去許多超快開關技術，被視為有望解決當前 AI 硬體面臨最大瓶頸之一：龐大的資料移動與儲存所帶來的能源消耗與散熱壓力。
A股港股
上海證券交易所公告顯示，科創板上市委員會定於 2026 年 5 月 27 日審議長鑫科技集團股份有限公司 (長鑫存儲) 的 IPO 申請。做為中國唯一實現 DRAM 大規模量產的企業，長鑫存儲此次預計募資 295 億元人民幣，規模僅次於中芯國際，位居科創板史第二。
美股雷達
花旗集團 (C-US) 分析師 Atif Malik 近日發布最新研究報告，將美光科技 (MU-US) 目標股價由 425 美元大幅上調至 840 美元，升幅近乎翻倍，並維持「買入」評級，反映記憶體產業正進入一輪罕見的超級景氣週期與獲利重估階段。
美股雷達
三星電子前半導體部門總裁、現任常駐顧問慶桂顯 (Kyung Kye-hyun) 近日發言指出，儘管全球記憶體市場正處於 HBM 帶動的超級景氣循環，這波榮景可能不會持續太久。隨著中國廠商加速擴產，加上 AI 投資報酬存在不確定性，記憶體價格最快可能在 2027 年下半年開始反轉下跌。
歐亞股
中國國產記憶體晶片雙雄近期接連在資本市場展露鋒芒，長鑫科技甫遞表科創板，長江存儲控股股份有限公司隨即在周二 (19 日) 盤後宣布啟動 A 股 IPO 輔導，輔導機構由中信證券與中信建投聯手擔綱，這家總部位於武漢的記憶體巨頭正式踏上衝刺資本市場的征途。
A股港股
長鑫科技 5 月 17 日深夜更新了科創板 IPO 申報材料。根據最新招股書顯示，2026 年第一季度長鑫營收達人民幣 508 億元，同比增長 719%，歸母淨利潤高達 247.62 億元。這意味著這家曾被稱為「吞金獸」的企業，僅用一個季度的盈利就幾乎抹平了過去十年的累計虧損。
新股上市
從年虧百億到日賺 3 億元 (人民幣，下同)，中國國產 DRAM 龍頭長鑫科技週日(17 日) 用一份堪稱「炸裂」的成績單，向中國科創板發起衝刺。在這家合肥公司更新招股書後，一組財務數據迅速引發市場震動。今年第一季，長鑫科技營收 508 億元，年增 719.13%，淨利潤 330.12 億元，歸母凈利潤 247.62 億元。
歐亞股
南韓科技巨頭三星電子 (Samsung Electronics) 與旗下最大工會的薪資協商進入關鍵時刻，雙方目前正透過政府斡旋試圖避免罷工，但若談判破局，不僅可能衝擊全球記憶體供應鏈，也可能為正值人工智慧 (AI) 晶片熱潮的半導體市場投下變數。
台股新聞
AI 排擠兩成產能，引爆傳統 DRAM 與 NAND Flash 世紀缺貨潮，報價驚天暴漲將一路波及 2027 年！當供應鏈定價權大洗牌，誰手握產能與高額庫存，誰就能在這波通膨狂飆中全面通吃。〈AI 排擠傳統產能，記憶體荒恐一路延續到 2027 年〉2026 年 AI 需求全面擴大，正大舉改變全球記憶體產業的產能配置，三大國際原廠將資本支出與先進製程全力砸向 HBM 與 DDR5，直接排擠了約 2 成的傳統記憶體產能，導致 DDR4 等傳統 DRAM 與 NAND Flash 供給嚴重收縮。
台股新聞
記憶體模組廠宜鼎 (5289-TW) 今 (15) 日公告 4 月自結損益，稅後純益達 29.87 億元，年增 4,567%；每股盈餘 31.41 元，不僅單月大賺逾 3 個股本，更是第一季單季獲利的 54%，凸顯漲價效益驚人。宜鼎 4 月營收 66.71 億元，月增 17.6%，年增 583.11%，續創歷史新高。
科技
根據 TrendForce 最新調查，2026 年第二季 DRAM 合約價持續大幅上揚，智慧型手機品牌商正承受前所未有的成本壓力。據調查，本季 LPDDR4X 的平均銷售單價 (ASP) 預估將季增至少 70%–75%，而 LPDDR5X 的漲幅更為劇烈，預計季增 78%–83%。
台股新聞
根據 TrendForce 最新記憶體調查，2026 年第二季 Mobile DRAM 合約價持續大幅上揚，預估第二季 LPDDR4X 平均銷售單價 (ASP) 將至少季增 70-75%，LPDDR5X 則季增 78-83%，智慧手機品牌面臨更沉重的成本壓力。