DRAM
最新數據顯示，隨著AI普及推高記憶體晶片需求，中國長江存儲(YMTC)在NAND快閃記憶體領域中躋身全球第三，且在規模更大的DRAM記憶體晶片市場位列全球第四。根據市場研究機構Counterpoint週三(12日)公布的最新數據，YMTC正快速搶佔NAND這一核心晶片領域的市場份額。
英特爾執行長陳立武近期在一場公開對話中表示，該公司正著手研究「新型記憶體架構」，且已經從SK海力士挖角曾任該公司高管的Shil Lee加盟，加碼記憶體技術佈局。他並笑稱，外界「應該能猜到方向」，但細節暫不公開。在一場播客節目上談到伺服器與資料中心業務時，陳立武坦承「這些年犯了不少錯誤」，但強調英特爾已重新引進頂尖CPU、GPU及系統架構師，同時擴充軟體團隊，目標是在下一輪算力週期中重奪主導地位。
谷歌周三(12日)在「Made by Google」發表會推出Pixel 11、Pixel 11 Pro、Pixel 11 Pro XL與Pixel 11 Pro Fold四款新機，下周四(20日)正式開賣，分別要價899、1099、1299、1899美元，較上代Pixel 10全系列調漲100美元，漲價主因AI資料中心擠佔DRAM/NAND產能、RAM與快閃記憶體成本飆漲，谷歌設備主管Rick Osterloh更直言，RAM和快閃記憶體短缺正推高整個消費電子業成本。
儘管記憶體缺貨風暴持續衝擊蘋果 (AAPL-US) 硬體出貨規劃，但關於市場近期流傳「台積電 (2330-TW) 手上囤積價值十億美元蘋果處理器半成品」一說，卻遭到知名蘋果供應鏈分析師郭明錤公開駁斥。郭明錤週二（11 日）在社群平台 X 發文表示，蘋果今年確實因記憶體供給短缺而調降部分硬體出貨計畫，但這與外界所稱的「供應鏈端被動囤貨」是兩回事。
台股新聞
PCB 廠健鼎 (3044-TW) 的營收及獲利都有亮麗表現，健鼎今 (11) 日公布最新財報獲利成績，第二季毛利率達 30.02%，稅後純益 38.96 億元，季增 32.25%，年增 59.41%，每股純益 7.41 元。2026 年上半年稅後純益 68.43 億元，年增 42.55%，每股純益 13.02 元。
輝達 (NVDA-US) 新平台傳出規格縮水，市場一度解讀為需求降溫訊號，但摩根大通 (JPM-US) 最新報告反駁此說法，認為這其實是供應吃緊下的權宜之計，記憶體大廠仍將迎來史上最長的一波上升循環。近期全球記憶體類股歷經明顯拉回，加上輝達下一代 AI 平台陸續傳出 HBM 高頻寬記憶體、SOCAMM 模組等規格下修的消息，讓不少投資人開始懷疑這波記憶體多頭是否已經見頂。
隨著人工智慧（AI）伺服器需求爆發推升 DRAM 價格、全球記憶體市場陷入供應緊張，蘋果 (AAPL-US) 傳出正尋求三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與美光科技 (MU-US) 之外的新供應商，並試用中國長鑫科技 (688825-CN) 的 DRAM，恐成全球 DRAM 市場不可忽視的新變數。
AI 伺服器買盤瘋搶下，DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲，由三星、SK 海力士、美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨，但隨著兩大韓廠最新季報揭露「漲價幅度不及預期」，市場開始擔心本輪超級週期是否已近獲利高點。數據顯示，SK 海力士今年第二季 DRAM 均價上季仍漲約 30%、NAND 漲 50%；三星 DRAM 漲幅超 40%、NAND 漲 60%，絕對數字驚人，卻雙雙落後華爾街預期。
美國股市上週五（7 日）出現一場罕見的類股對決。記憶體概念股全面走軟，光通訊供應鏈卻反向噴出，兩大陣營的表現差異之大，也讓一場「賣記憶體、買光通訊」的交易策略在週末投資圈掀起激辯。導火線是花旗證券分析師 Atif Malik 發布的最新報告。
高盛亞洲首爾分部交易員 Justin Park 近日發布最新研究報告指出，南韓股市近期劇烈震盪，已使投資人對記憶體晶片產業的基本面預期，壓低到明顯偏離現實的悲觀水準。Park 強調，目前市場對記憶體晶片股的估值，並未反映這一輪景氣循環真正的強度與延續性。
南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SKHY-US) 據傳正評估中國重慶廠的多項處置方案，包括引進投資人以加速業務成長。知情人士透露，若公司最終決定出售部分股權，這座廠區的估值可能達到約 30 億美元。《彭博》周五 (7 日) 報導，SK 海力士目前正與潛在顧問接洽，準備對重慶業務展開評估。
SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 周五 (7 日) 宣布，計劃在南韓投資 5.4 兆韓元 (約 380 億美元) 擴建晶片製造設施。SK 海力士在聲明中表示，將在龍仁 (Yongin) 興建新的 DRAM 製造廠，並在清州 (Cheongju) 興建 NAND 晶圓廠，其中約三分之二的投資預算將用於龍仁廠。
隨著 AI 資本開支狂飆，全球 DRAM/HBM 產能遭提前掃貨。多家媒體彙整供應鏈消息指出，三星、SK 海力士、美光已經完成 2027 全年產能分配談判，DRAM 與 HBM 產線「提前售罄」，多數客戶最終配貨僅拿到一開始請求的 60%-70%，三家均無新增產線規劃，NAND 則因供應商較多，買方尚有零星談判空間，但整體仍緊俏。
外媒最新報導指出，距離 iPhone 18 系列發表倒數幾周，蘋果新機正面臨「成本暴衝＋DRAM 斷料」雙重夾擊，漲價幾成定局，首發缺貨亦難避免。美國科技媒體《9to5mac》引述供應鏈與機構測算指出，漲價底氣來自三項硬體成本。一是全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體持續緊缺、記憶體現貨價格暴漲；二是全新可變光圈主鏡頭成本較上一代增加 50%；三是首發台積電 2 奈米 A20 Pro 晶片搭配 WMCM 封裝，先進製程費用大幅墊高。
台股新聞
一、 2026 年第二季財務與營運詳情財務表現（創單季歷史新高）合併營收：新臺幣 598.43 億元，季增 56.4%。營業毛利與毛利率：毛利 396.45 億元；毛利率上升至 66.2%。記憶體本體：第二季營收 517 億元，毛利率高達 70.3%，營業利益率（OP Margin）達 56.9%，產能利用率達 100%。
台股新聞
華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，受惠記憶體價格大幅上漲、產品組合改善，以及產能利用率維持滿載，第二季營收、毛利率與獲利同步跳升，單季歸屬於母公司業主淨利 243.17 億元，季增 140.4%，較去年同期轉盈，創下歷史新高，每股純益達 5.4 元，累計上半年每股純益達 7.65 元。
台股新聞
記憶體業者華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，總經理陳沛銘表示，記憶體供給持續吃緊，已有多家客戶希望將長約談到 2029 年、甚至 2030 年，並提前鎖定高雄 Module B 新廠產能。因應長期需求，公司已正式啟動 Module B 擴產計畫，預計 2027 年 1 月動工、2029 年開始裝機，最快 2029 年底進入量產。
台股新聞
華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，展望第三季，總經理陳沛銘看好，DRAM 與 Flash 價格仍將延續上漲趨勢，雖然 DRAM 平均單位價格不太可能再現第二季翻倍增幅，但供給緊張、AI 需求強勁及產品組合持續優化，將支撐營運續強，並力拚第三季營益率突破 50%，超越第二季的 48.4%。
Counterpoint Research 最新《全球儲存追蹤》報告指出，全球 DRAM 市場格局正加速洗牌。三星電子 (005930KS) 第二季市佔率持續攀升，重回 2024 年以來高點；SK 海力士 (000660KS) 則因市占率下滑，與快速追趕的美光科技 (MU-US) 形成激烈競爭。
台股新聞
記憶體模組大廠威剛 (3260-TW) 今 (6) 日召開法說會並公布 7 月營收，單月合併營收衝上 183.8 億元，月增 25.4%、年增 331.3%，連續第 5 個月改寫歷史新高。公司表示，隨 DRAM 及 NAND Flash 價格持續上漲、通路庫存回到健康水位，加上客戶拉貨力道升溫，第三季營收可望優於第二季，營運持續攀高。