DRAM
A股港股
根據中國海關最新數據顯示，2026 年上半年中國進出口貿易結構發生重大質變。積體電路 (晶片) 已正式超越汽車與手機，成為中國出口金額最高的商品類別。數據顯示，2026 年上半年晶片累計出口金額高達 1,772.8 億美元 (約 1.2 兆元人民幣)，較去年同期大幅增長 96.1%，創下歷史新高。
國際政經
最新研究報告指出，全球記憶體市場可能正邁入一個更長期的供需緊張周期。根據市場研究機構 Citrini Research最新預測，即便計入長鑫存儲等中國廠商的產能擴張，到 2030 年，全球 DRAM 市場仍將出現大規模供應缺口，規模預計達 28.7EB，約佔當年總需求的 18%，且此缺口規模已接近今年約 40EB 的全球一年的總產能。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，中國記憶體製造商長鑫存儲 (CXMT) 即將啟動首次公開募股 (IPO)，市場預期公司將利用募資所得擴充產能，引發投資人擔憂全球 DRAM 供給增加、價格競爭升溫，進而壓抑記憶體業者的獲利表現，拖累美股記憶體族群週三 (15 日) 遭遇沉重賣壓。
港股
《路透》周三 (15 日) 報導，中國記憶體晶片大廠長鑫存儲 (CXMT) 即將進行規模達 86 億美元的首次公開募股 (IPO)，在人工智慧(AI) 帶動記憶體產業進入上升周期，以及北京力推半導體自主化的背景下，中國投資人正摩拳擦掌準備搶購，甚至押注公司上市後估值最高可能暴增近 10 倍。
歐亞股
美國銀行最新研究報告對南韓總統李在明力推的「2030 年記憶體產能翻倍」計畫潑下冷水，認為這項政策目標恐怕禁不起現實檢驗。李在明於六月底端出一項總規模達 800 兆韓元的巨型投資案，計畫在南韓西南沿海的光州與全羅地區打造全新的記憶體產業聚落，希望到 2030 年時，讓三星電子與 SK 海力士兩大廠的 DRAM 晶圓產能較現在翻一倍。
歐亞股
據韓媒報導，三星電子正計畫在其位於京畿道龍仁市的器興工廠園區內，新建一座 DRAM 記憶體工廠。這塊土地原本規劃作為研發中心用地。對此業界解讀，此舉是為因應全球人工智慧（AI）基礎設施投資熱潮所帶動的記憶體需求急遽攀升。業內人士週三（15 日）透露，三星正推動在器興工廠內興建新的記憶體半導體工廠，預估月產能約 10 萬片晶圓，規模相當於鄰近華城廠區的一座廠房，投資金額預計上看數兆韓元。
美股雷達
KeyBanc 分析師 John Vinh 前往亞洲考察科技供應鏈後，將美光 (Micron)(MU-US) 股票目標價從 1,600 美元上調至 1,750 美元。Vinh 預期，電腦記憶體市場供應緊張的情況將持續至 2027 年。他在報告中寫道，「記憶體短缺的情況仍持續存在…… 供應鏈方面的說法持續顯示，記憶體市場的緊張環境將延續至 2027 年。
A股
中國 DRAM 領頭羊長鑫科技公告將於科創板掛牌上市，首次公開發行（IPO）價格定為每股 8.66 元 (人民幣，下同)，並預計 7 月 16 日啟動網上、網下申購。此次上市不僅象徵這家合肥存儲晶片大廠正式進軍資本市場，也因造富效應與技術實力備受市場關注，可望成為中國半導體產業今年最受矚目的 IPO 之一。
台股新聞
力積電 (6770-TW) 董事長黃崇仁今 (14) 日表示，公司投入 Wafer-on-Wafer (WoW) 技術已超過六年，目前 8 層 WoW 產品良率已突破 92%，並完成國際先進封裝客戶驗證，是全球少數具備多層 WoW 量產能力的業者，看好隨著 AI 晶片朝高頻寬、低功耗及高整合度發展，WoW 有望成為下一世代先進封裝的重要技術。
台股新聞
力積電 (6770-TW) 今 (14) 日召開法說會，總經理朱憲國表示，受惠 AI 需求持續強勁，記憶體與成熟製程市場供需同步轉緊，公司 7 月已再次調升 DRAM 投片價格約 40% 至 45%，8 吋及 12 吋成熟製程代工價格也上調約 10% 至 15%，預計漲價效益將自 11 月起逐步反映在營收與獲利表現。
台股新聞
晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (14) 日召開法說會，並公布第二季財報，受惠漲價效益陸續顯現、產能滿載，單季毛利率提升至 28%，創下三年半新高，每股稅後盈餘 0.76 元，累計上半年達 4.08 元。力積電第二季營收 172.91 億元，季增 27%，年增 53%，毛利率 28%，季增 18 個百分點，營益率 21%，季減 84 個百分點，較去年同期轉正，淨利 32.91 億元，季減 77%，較去年同期轉盈，每股稅後盈餘 0.76 元。
國際政經
2026年07月14日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 野村證券表示，中國人工智慧（AI）投資正加速追趕國際同業，AI供應鏈仍具不小的上漲潛力。其中，AI基礎設施相關的光通訊與PCB產業，可望持續受惠於全球AI建設需求，未來幾年隨著技術升級，有望帶動產品單價、利潤率及企業估值同步提升。
美股雷達
南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SKHY-US) 於上週五（10 日）正式在美國那斯達克交易所掛牌上市，今年以來股價已狂飆 241.5%，市值站上 1 兆美元。但分析指出，對於尋求長線布局 AI 供應鏈的投資人而言，同屬那斯達克 100 指數成分股的荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML-US) ，可能才是 2026 年下半年更值得買進的標的。
歐亞股
根據發行安排，中國國產記憶體晶片巨頭長鑫科技將於 7 月 16 日迎來科創板 IPO 網上申購，此次擬融資 295 億元 (人民幣，下同)，不僅是 2026 年以來 A 股市場規模最大的 IPO，也是科創板史上第二大 IPO，僅次於中芯國際的 532 億元。
美股雷達
在日前登場的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技術與電路研討會上，來自南韓與日本的研究團隊不約而同發表了兩套全新的高頻寬記憶體（HBM）架構構想，雖出自不同單位、命名各異，核心思路卻高度雷同，將原本平躺堆疊的 DRAM 晶片改為「直立擺放」，藉此換取更充裕的散熱空間，同時緩解 AI 晶片日益吃緊的記憶體頻寬瓶頸。
美股雷達
美國當地時間週五（10 日）上午，有「HBM 之王」稱號的 SK 海力士 (SKHY-US) 正式在那斯達克掛牌。SK 海力士是全球最大的記憶體半導體廠商之一，專攻先進記憶體晶片的設計、製造與銷售，產品線涵蓋 DRAM、NAND 快閃記憶體，以及目前 AI 生態系中最為緊缺的高頻寬記憶體（HBM）。
A股港股
中國存儲晶片龍頭長鑫科技正式開啟科創板 IPO 進程，擬募資規模高達 295 億元人民幣，不僅是 2026 年以來 A 股最大規模的 IPO 項目，更成為科創板歷史上僅次於中芯國際的第二大融資案例。根據公告，長鑫科技將於 7 月 16 日正式開啟網上及網下申購，證券代碼為「688825」。
台股新聞
DRAM 業者南亞科 (2408-TW) 今 (10) 日召開法說會，並公布第二季財報，上季銷售量與第一季持平，不過受惠 DRAM 平均售價季增超過 60%，推升毛利率衝上 79.5% 的新高，營益率同樣飆上 73.7%，單季大賺超過 500 億元、達 501.92 億元，每股純益 14.66 元，累計上半年達 23.07 元。
美股雷達
過去一週，全球記憶體股票經歷顯著拉回，市場迅速為跌勢找出 Meta 恐對外出售過剩算力代表資料中心建置過剩、蘋果評估納入長鑫存儲 DRAM、南韓政府公布大規模半導體計畫預示未來供給失控等三大原因。市場找出的這些原因均指向「需求見頂、供給即將氾濫、超級週期尾聲」，但美銀近日出具最新研報《Global Memory Tech》解釋說：「上述風險遭市場高估，無論雲端資本開支、韓國半導體出口或 DRAM／NAND 合約價，皆未顯示記憶體週期已方向性反轉。
美股雷達
Meta Platforms (META-US) 傳出將於 9 月啟動自研 AI 資料中心晶片「Iris」量產計畫，激勵 AI 基礎設施與半導體設備族群全面走揚，費半指數升超 3%。市場看好，隨著 Meta 擴大投入自研晶片，將進一步推升晶圓製造設備需求，應用材料、科林研發與科磊等多檔設備股將成主要受惠者。