美光
美股雷達
《巴隆周刊》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 股價周二 (11 日) 收高，為上周三以來首次上漲。華爾街分析師認為，隨著市場逐漸了解記憶體晶片短缺的嚴重程度，美光股價表現可能進一步改善。這家記憶體晶片製造商股價收漲 0.9%，報 869 美元。
美股雷達
美伊和平協議遲遲未見實質進展，投資人靜待美國通膨數據出爐，美股週二 (11 日) 全面收黑，標普 500 指數連續第二個交易日下跌，那斯達克指數跌幅達 0.6%。記憶體族群逆勢走強，帶動費半指數收漲 0.87%。伊朗最高國家安全委員會秘書雷札伊 (Mohsen Rezaei) 週二重申，在美方滿足伊朗提出的條件前，荷姆茲海峽不會重新開放。
輝達 (NVDA-US) 新平台傳出規格縮水，市場一度解讀為需求降溫訊號，但摩根大通 (JPM-US) 最新報告反駁此說法，認為這其實是供應吃緊下的權宜之計，記憶體大廠仍將迎來史上最長的一波上升循環。近期全球記憶體類股歷經明顯拉回，加上輝達下一代 AI 平台陸續傳出 HBM 高頻寬記憶體、SOCAMM 模組等規格下修的消息，讓不少投資人開始懷疑這波記憶體多頭是否已經見頂。
《Marketwatch》報導，輝達 (NVDA-US) 傳出正調整下一代 Rubin Ultra AI 晶片設計，考慮降低單顆晶片搭載的高頻寬記憶體 (HBM) 容量，以因應供應吃緊問題。瑞銀認為，這項變動雖然會減少每顆晶片使用的 HBM，卻可能促使輝達增加晶片出貨數量，反而進一步推升整體 HBM 需求，為美光 (MU-US) 等記憶體供應商帶來利多。
隨著人工智慧（AI）伺服器需求爆發推升 DRAM 價格、全球記憶體市場陷入供應緊張，蘋果 (AAPL-US) 傳出正尋求三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與美光科技 (MU-US) 之外的新供應商，並試用中國長鑫科技 (688825-CN) 的 DRAM，恐成全球 DRAM 市場不可忽視的新變數。
AI 伺服器買盤瘋搶下，DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲，由三星、SK 海力士、美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨，但隨著兩大韓廠最新季報揭露「漲價幅度不及預期」，市場開始擔心本輪超級週期是否已近獲利高點。數據顯示，SK 海力士今年第二季 DRAM 均價上季仍漲約 30%、NAND 漲 50%；三星 DRAM 漲幅超 40%、NAND 漲 60%，絕對數字驚人，卻雙雙落後華爾街預期。
美國股市上週五（7 日）出現一場罕見的類股對決。記憶體概念股全面走軟，光通訊供應鏈卻反向噴出，兩大陣營的表現差異之大，也讓一場「賣記憶體、買光通訊」的交易策略在週末投資圈掀起激辯。導火線是花旗證券分析師 Atif Malik 發布的最新報告。
在人工智慧 (AI) 帶動記憶體需求爆發的背景下，Micron Technology (MU-US)與 SK hynix (SKHY-US)成為市場最受矚目的兩大記憶體股。兩家公司都受惠於 DRAM、NAND 及高頻寬記憶體 (HBM) 價格走高，但華爾街投資人如今面對的問題已從「哪家公司能受惠於 AI 需求」轉向「哪一家股票的估值更值得買進」。
美光 (MU-US) 周五早盤下跌 3.6% 至 849.80 美元，市場一度擔憂南韓競爭對手 SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 大舉擴產，恐加速記憶體供需反轉。不過，《巴隆周刊》(Barron’s) 認為，晶圓廠從興建到投產需時多年，SK 海力士的投資短期內不會增加市場供給，因此不太可能對美光構成長期威脅。
記憶體股一片低氣壓中，美光 (MU-US) 周四 (5 日) 盤中一度翻紅上揚，雖然最終不敵賣壓收黑，但分析師對美光正在推動的轉型給予高度評價。美光午盤一度翻紅，終場仍下跌 1.3% 至每股 881.47 美元。其他記憶體股跌幅較重，同樣生產 NAND 快閃記憶體的 Sandisk(SNDK-US)因周三盤後公布的財測不如分析師預期，股價收低 6.8%，SK 海力士 ADR(SKHY-US)跌約 5%，儲存裝置大廠威騰電子 (WDC-US) 因財報不如預期暴跌 13%。
隨著 AI 資本開支狂飆，全球 DRAM/HBM 產能遭提前掃貨。多家媒體彙整供應鏈消息指出，三星、SK 海力士、美光已經完成 2027 全年產能分配談判，DRAM 與 HBM 產線「提前售罄」，多數客戶最終配貨僅拿到一開始請求的 60%-70%，三家均無新增產線規劃，NAND 則因供應商較多，買方尚有零星談判空間，但整體仍緊俏。
南韓預託結算院 SEIBRO 平台周三 (5 日) 數據顯示，截至周一 (3 日)，南韓的美股投資人單日淨賣超費半指數 3 倍槓桿 ETF(SOXL) 共 6.6439 億美元 (約 9486 億韓元)，規模相當於 7 月全月淨買超 37.8586 億美元的 17.5%，但本周前兩日合計仍淨賣出 6.0735 億美元，即便周二(4 日) 單日回補 5704 萬美元，也未扭轉撤離態勢，3 倍做多韓股 ETF(KORU)同期亦遭淨賣超 4563 萬美元。
美股雷達
全球記憶體供應危機持續升溫，AI 浪潮帶動資料中心大舉擴建，不僅推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，也排擠傳統 DRAM 與 NAND Flash 產能，使整體市場供需失衡情況進一步惡化。根據外媒引述產業消息指出，三星電子、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等主要記憶體供應商，已提前售罄 2027 年 DRAM 與 HBM 產能，市場普遍預期，供應緊張局面至少將持續至 2028 年。
美股雷達
Microchip (MCHP-US) 今 (5) 日宣布，攜手美光 (MU-US) 展示完整的端對端 PCIe Gen 6 儲存架構，結合 Microchip 3 奈米 Switchtec PCIe Gen 6 交換器與美光 9650 NVMe 固態硬碟 (SSD)，凸顯次世代 PCIe 技術提供更高的資料吞吐量、更低的延遲，以及可擴充的連線能力，以支援 AI、高效能運算及雲端資料中心工作負載。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 股票正獲得華爾街分析師高度青睞。這家南韓記憶體晶片大廠的 ADR 股價美國周二 (4 日) 迎來多家券商首次發布研究報告，且大多給予樂觀看法。SK 海力士 ADR 股價終場大漲 8%，報 154.38 美元。
美股雷達
《巴隆週刊》報導，美光科技 (MU-US) 週二勁揚 7.62%，收在每股 892.67 美元，盤中一度觸及 902.43 美元、漲幅達 8.8%。最新數據顯示，美光第二季在全球 DRAM 市場持續擴張，營收市占率已逼近 SK 海力士，但中國記憶體業者長鑫存儲 (CXMT) 快速崛起，也為產業競爭增添變數。
美股雷達
美股週二 (4 日) 全面大漲，市場一面消化美伊談判進展，一面迎接密集企業財報。大型科技與半導體股成為主要推力，費半指數暴漲超 6.5%。那斯達克指數勁揚近 3%。標普 500 指數首次收在 7,700 點上方，與道瓊指數雙雙改寫歷史收盤新高。
美股雷達
儘管七月半導體類股遭遇賣壓，市場擔憂大型科技業者放緩人工智慧（AI）支出腳步會衝擊股市，但最新數據顯示，情勢正朝反方向發展。為此美銀也點名九支半導體股，認為其 12 個月目標價位有約 30 到 90％的上漲空間，並給予它們「買入」評級。根據《TradingView》報導，科技巨頭的資本支出似乎沒有放緩的跡象。
台股新聞
力積電(6770-TW)代理董事長謝再居今(4)日首度對外說明公司未來營運方向，他向廣大股東喊話，隨著記憶體、邏輯代工及AI相關業務三大支柱逐步成形，加上出售銅鑼廠予美光後，財務結構明顯改善，若未來市場維持基本動能，力積電不只今年，明、後年也可望持續獲利，並承諾朝「年年獲利、年年配息」目標邁進。
歐亞股
市調機構 Counterpoint Research 今 (4) 日發布今年第二季全球 DRAM 市佔排名，三星電子以 39% 重回榜首，較上季成長 1 個百分點，創 2024 年來新高，SK 海力士市佔從去年同期 39% 摔至 26%，美光科技緊咬其後拿下 25%，三者合計仍壟斷九成市場，中國長鑫存儲以 7% 市佔穩居第四，營收年增 716%，躋身全球成長最快 DRAM 供應商。